1200В 800А Пакет:C6.1
Қысқаша кіріспе
IGBT модулі , STARPOWER компаниясы шығарған. 1200В 800А.
Қасиеттері
Үлгілік Қолданылуы
Абсолютті Максимум Рейтингтер T C=25o C егер каланын белгіленген
IGBT
Символ |
СИПАТТАМА |
Мәндер |
Бірлік |
V CES |
Жинағыш-эмиттер кернеуі |
1200 |
V |
V ГЭС |
Қақпа-эмиттер кернеуі |
±20 |
V |
IC |
Коллектор токы @ T C=100o C |
800 |
A |
IСм |
Импульсны коллектор токы t p =1 мс |
1600 |
A |
PD |
Максималды қуаттылық vj =175o C |
4687 |
W |
Диод
Символ |
СИПАТТАМА |
Мәндер |
Бірлік |
V РРМ |
Қайталау Пик Кері Кернеу жас |
1200 |
V |
IF |
Диодты үздіксіз алға қарай рент |
900 |
A |
IFm |
Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс |
1800 |
A |
IFSM |
Алға серпін беретін ток t p =10мс @ T vj =125o C @ Т vj =175o C |
2392 2448 |
A |
I2t |
I2t- мәні ,t p =10ms @ T vj =125o C@ Т vj =175o C |
28608 29964 |
A2сек |
Модуль
Символ |
СИПАТТАМА |
Мәні |
Бірлік |
T vjmax |
Жоғарғы түйісу температурасы |
175 |
o C |
T vjop |
Жұмыс қиылысының температурасы |
-40-дан +150-ге дейін |
o C |
T ЖТГ |
Сақтау температурасы |
-40-дан +125-ге дейін |
o C |
V ISO |
Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин |
2500 |
V |
IGBT Характеристикалар T C=25o C егер каланын белгіленген
Символ |
Параметрлер |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
|
V (Солтүстік Қазақстан) |
Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі |
IC= 800А,В ГЭ =15В, T vj =25o C |
|
1.40 |
1.85 |
V |
IC= 800А,В ГЭ =15В, T vj =125o C |
|
1.60 |
|
|||
IC= 800А,В ГЭ =15В, T vj =175o C |
|
1.60 |
|
|||
V ГЭ (th) |
Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу |
IC=24.0mА ,V CE =V ГЭ , T vj =25o C |
5.5 |
6.3 |
7.0 |
V |
ICES |
Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк |
V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C |
|
|
1.0 |
mА |
IГЭС |
Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк |
V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Гинт |
Ішкі қақпаның кедергісі лық |
|
|
0.5 |
|
ω |
Cлар |
Кіріс сыйымдылығы |
V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В |
|
28.4 |
|
нФ |
Cре |
Кері ауыстыру Қуаттылық |
|
0.15 |
|
нФ |
|
QG |
Қақпалық төлем |
V ГЭ =-15...+15В |
|
2.05 |
|
μC |
t d (қосылған ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I C=800А, R G=0.5Ω, L Сек =40nH, V ГЭ =-8V/+15V, T vj =25o C |
|
168 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
78 |
|
н |
|
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
428 |
|
н |
|
t f |
Күз мезгілі |
|
123 |
|
н |
|
Eқосылған |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
43.4 |
|
мЖ |
|
Eашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
77.0 |
|
мЖ |
|
t d (қосылған ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I C=800А, R G=0.5Ω, L Сек =40nH, V ГЭ =-8V/+15V, T vj =125o C |
|
172 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
84 |
|
н |
|
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
502 |
|
н |
|
t f |
Күз мезгілі |
|
206 |
|
н |
|
Eқосылған |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
86.3 |
|
мЖ |
|
Eашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
99.1 |
|
мЖ |
|
t d (қосылған ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I C=800А, R G=0.5Ω, L Сек =40nH, V ГЭ =-8V/+15V, T vj =175o C |
|
174 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
90 |
|
н |
|
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
531 |
|
н |
|
t f |
Күз мезгілі |
|
257 |
|
н |
|
Eқосылған |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
99.8 |
|
мЖ |
|
Eашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
105 |
|
мЖ |
|
|
ISC |
SC деректері |
t P≤8μs, V ГЭ =15В, T vj =150o С, V CC =800V, V КЕМ ≤1200В |
|
2600 |
|
A |
|
t P≤6μс, V ГЭ =15В, T vj =175o С, V CC =800V, V КЕМ ≤1200В |
|
2500 |
|
A |
Диод Характеристикалар T C=25o C егер каланын белгіленген
Символ |
Параметрлер |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Блоктар |
|
V F |
Алға қарай диод Кернеу |
IF =900A,V ГЭ =0В,Т vj =25o C |
|
1.60 |
2.00 |
V |
IF =900A,V ГЭ =0В,Т vj =125o C |
|
1.60 |
|
|||
IF =900A,V ГЭ =0В,Т vj =175o C |
|
1.50 |
|
|||
Qr |
Алынған айыппұл |
V R = 600В,I F =800А, -di/dt=7778A/μs,V ГЭ =-8V, LСек =40nH ,T vj =25o C |
|
47.7 |
|
μC |
IRM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
|
400 |
|
A |
|
Eрек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
13.6 |
|
мЖ |
|
Qr |
Алынған айыппұл |
V R = 600В,I F =800А, -di/dt=7017A/μs,V ГЭ =-8V, LСек =40nH ,T vj =125o C |
|
82.7 |
|
μC |
IRM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
|
401 |
|
A |
|
Eрек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
26.5 |
|
мЖ |
|
Qr |
Алынған айыппұл |
V R = 600В,I F =800А, -di/dt=6380A/μs,V ГЭ =-8V, LСек =40nH ,T vj =175o C |
|
110 |
|
μC |
IRM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
|
413 |
|
A |
|
Eрек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
34.8 |
|
мЖ |
НТК Характеристикалар T C=25o C егер каланын белгіленген
Символ |
Параметрлер |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
R 25 |
Атаулы кедергі |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Ауыспалы туралы R 100 |
T C=100 o Cр 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Күш Диссипация |
|
|
|
20.0 |
мW |
Б 25/50 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2— 1 / 298.15K))] |
|
3375 |
|
К |
Б 25/80 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2— 1 / 298.15K))] |
|
3411 |
|
К |
Б 25/100 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2— 1 / 298.15K))] |
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристикалар T C=25o C егер каланын белгіленген
Символ |
Параметрлер |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
LCE |
Айналадағы индуктивтілік |
|
20 |
|
nH |
R CC+EE |
Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке |
|
0.80 |
|
mΩ |
R тЖК |
Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од) |
|
|
0.032 0.049 |
К/W |
|
R тХ |
Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль) |
|
0.030 0.046 0.009 |
|
К/W |
Мин |
Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, Болт M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
Н.М |
G |
Салмағы туралы Модуль |
|
350 |
|
g |

Біздің кәсіби сату тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.