GD300HFX170C2S,IGBT Модулі,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C

@ Т C= 100o C

493

300

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

600

A

PD

Максималды қуат тарату T =175o C

1829

W

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

IC=300A,V ГЭ =15В, T ж =25o C

1.85

2.20

V

IC=300A,V ГЭ =15В, T ж =125o C

2.25

IC=300A,V ГЭ =15В, T ж =150o C

2.35

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC= 12,0 мА,В CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған

Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

2.5

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

36.1

нФ

Cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.88

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

2.83

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=300A, R G=2,4Ω,

V ГЭ =±15В, T ж =25o C

204

н

t r

Күтерілу уақыты

48

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

595

н

t f

Күз мезгілі

100

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

69.3

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

63.3

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=300A, R G=2,4Ω

v ГЭ =±15В, T ж = 125o C

224

н

t r

Күтерілу уақыты

55

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

611

н

t f

Күз мезгілі

159

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

96.8

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

99.0

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=300A, R G=2,4Ω

v ГЭ =±15В, T ж = 150o C

240

н

t r

Күтерілу уақыты

55

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

624

н

t f

Күз мезгілі

180

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

107

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

105

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

T ж =150o C,V CC = 1000В, V КЕМ ≤1700В

1200

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

IF =300A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.80

2.25

V

IF =300A,V ГЭ =0В,Т ж = 125o C

1.90

IF =300A,V ГЭ =0В,Т ж = 150o C

1.95

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =25o C

55

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

297

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

32.2

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =125o C

116

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

357

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

68.2

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =150o C

396

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

120

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

81.6

мЖ

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі nce, Терминалдан Чипке

0.35

mΩ

R тЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.082

0.129

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.033

0.051

0.010

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g