1200V400A Пакет:P4
Қысқаша кіріспе
IGBT модулі ,шығарылған Жұлдызды қуат .1200V 400А.
Қасиеттері
Типілік қолданулар
Абсолютті Максимум Рейтингтер T F =25o C егер каланын белгіленген
Символ |
СИПАТТАМА |
Мәні |
Бірлік |
V CES |
Жинағыш-эмиттер кернеуі |
1200 |
V |
V ГЭС |
Қақпа-эмиттер кернеуі |
±20 |
V |
ICN |
Коллекторды іске асыру рент |
400 |
A |
IC |
Коллектор токы @ T F =25o C @ T F =75o C |
400 300 |
A |
IСм |
Импульсны коллектор токы t p =1 мс |
800 |
A |
PD |
Максималды қуаттылық ж =175o C |
1500 |
W |
IGBT
Диод
Символ |
СИПАТТАМА |
Мәні |
Бірлік |
V РРМ |
Қайталау Пик Кері Кернеу жас |
1200 |
V |
IБФ |
Реализованный Forward Cu рент |
400 |
A |
IF |
Диодты үздіксіз алға қарай рент |
300 |
A |
IFm |
Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс |
800 |
A |
Модуль
Символ |
СИПАТТАМА |
Мәні |
Бірлік |
T jmax |
Жоғарғы түйісу температурасы |
175 |
o C |
T жіп |
Жұмыс қиылысының температурасы |
-40-дан +150-ге дейін |
o C |
T ЖТГ |
Сақтау температурасы |
-40-дан +125-ге дейін |
o C |
V ISO |
Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин |
2500 |
V |
IGBT Характеристикалар T F =25o C егер каланын белгіленген
Символ |
Параметрлер |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
|
V (Солтүстік Қазақстан) |
Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі |
IC=300A,V ГЭ =15В, T ж =25o C |
|
1.50 |
1.95 |
V |
IC=300A,V ГЭ =15В, T ж =125o C |
|
1.60 |
|
|||
IC=300A,V ГЭ =15В, T ж =150o C |
|
1.65 |
|
|||
V ГЭ (th) |
Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу |
IC=16.0mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C |
5.3 |
5.8 |
6.3 |
V |
ICES |
Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк |
V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25o C |
|
|
1.0 |
mА |
IГЭС |
Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк |
V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Гинт |
Ішкі қақпа кедергісі |
|
|
0.5 |
|
ω |
Cлар |
Кіріс сыйымдылығы |
V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В |
|
41.4 |
|
нФ |
Cре |
Кері ауыстыру Қуаттылық |
|
1.16 |
|
нФ |
|
QG |
Қақпалық төлем |
V ГЭ =15В |
|
3.11 |
|
μC |
t d (қосылған ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC =500V,I C=300A, R G=1.5Ω,V ГЭ =±15В, LS =25nH ,T ж =25o C |
|
223 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
32 |
|
н |
|
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
354 |
|
н |
|
t f |
Күз мезгілі |
|
228 |
|
н |
|
Eқосылған |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
6.24 |
|
мЖ |
|
Eашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
20.1 |
|
мЖ |
|
t d (қосылған ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC =500V,I C=300A, R G=1.5Ω,V ГЭ =±15В, Ls=25нГ,T ж =125o C |
|
229 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
36 |
|
н |
|
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
411 |
|
н |
|
t f |
Күз мезгілі |
|
344 |
|
н |
|
Eқосылған |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
11.0 |
|
мЖ |
|
Eашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
28.6 |
|
мЖ |
|
t d (қосылған ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC =500V,I C=300A, R G=1.5Ω,V ГЭ =±15В, Ls=25нГ,T ж =150o C |
|
231 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
38 |
|
н |
|
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
421 |
|
н |
|
t f |
Күз мезгілі |
|
352 |
|
н |
|
Eқосылған |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
12.2 |
|
мЖ |
|
Eашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
29.7 |
|
мЖ |
|
|
ISC |
SC деректері |
t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В, T ж =150o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В |
|
1600 |
|
A |
Диод Характеристикалар T F =25o C егер каланын белгіленген
Символ |
Параметрлер |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
|
V F |
Алға қарай диод Кернеу |
IF =300A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C |
|
1.35 |
1.80 |
V |
IF =300A,V ГЭ =0В,Т ж =125o C |
|
1.35 |
|
|||
IF =300A,V ГЭ =0В,Т ж =150o C |
|
1.35 |
|
|||
Qr |
Алынған айыппұл |
V R =500V,I F =300A, -ди/дt=9700А/мкс,V ГЭ =-15В Ls=25нГ,T ж =25o C |
|
32.7 |
|
μC |
IRM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
|
478 |
|
A |
|
Eрек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
22.1 |
|
мЖ |
|
Qr |
Алынған айыппұл |
V R =500V,I F =300A, -ди/дt=8510А/мкс,V ГЭ =-15В Ls=25нГ,T ж =125o C |
|
45.9 |
|
μC |
IRM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
|
522 |
|
A |
|
Eрек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
32.7 |
|
мЖ |
|
Qr |
Алынған айыппұл |
V R =500V,I F =300A, -ди/дt=8250А/мкс,V ГЭ =-15В Ls=25нГ,T ж =150o C |
|
51.5 |
|
μC |
IRM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
|
537 |
|
A |
|
Eрек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
37.4 |
|
мЖ |
НТК Характеристикалар T F =25o C егер каланын белгіленген
Символ |
Параметрлер |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
R 25 |
Атаулы кедергі |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Ауыспалы туралы R 100 |
T C=100 o Cр 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Күш Диссипация |
|
|
|
20.0 |
мW |
Б 25/50 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2— 1 / 298.15K))] |
|
3375 |
|
К |
Б 25/80 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2— 1 / 298.15K))] |
|
3411 |
|
К |
Б 25/100 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2— 1 / 298.15K))] |
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристикалар T F =25o C егер каланын белгіленген
Символ |
Параметрлер |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
△p |
Салқындату контурындағы қысымның төмендеуі қайырма △V/ △t=10,0 dm 3/мИН ;T F =25o C;Салқындату Сұйық=50% Су/50% Этиленгликоль |
|
100 |
|
мбар |
p |
Тоңазытудағы ең жоғары қысым қайырма |
|
|
2.5 |
бар |
LCE |
Айналадағы индуктивтілік |
|
14 |
|
nH |
R CC+EE |
Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке |
|
0.80 |
|
mΩ |
R тЖЖ |
Бөлшеуіш —дейін —Салқындату Сұйық (perIGBT ) Жылу және охлаждыру сұйқасының арасындагы (пер Ди од) |
|
|
0.100 0.125 |
К/W |
Мин |
Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы |
2.5 3.0 |
|
5.0 6.0 |
Н.М |
G |
Салмағы туралы Модуль |
|
1340 |
|
g |


Біздің кәсіби сату тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.