GD400HFX170C2S, IGBT Модуль, STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C

@ Т C= 100o C

648

400

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

800

A

PD

Максималды қуат тарату T =175o C

2380

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1700

V

IF

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

400

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

800

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 мИН

4000

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

IC= 400А,В ГЭ =15В, T ж =25o C

1.85

2.20

V

IC= 400А,В ГЭ =15В, T ж =125o C

2.25

IC= 400А,В ГЭ =15В, T ж =150o C

2.35

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC= 16,0 мА,В CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған

Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25o C

5.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

1.88

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

48.2

нФ

Cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.17

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15В...+15В

3.77

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=400А, R G=0.82Ω,V ГЭ =±15В, T ж =25o C

204

н

t r

Күтерілу уақыты

38

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

425

н

t f

Күз мезгілі

113

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

97.9

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

84.0

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=400А, R G=0.82Ω,V ГЭ =±15В, T ж =125o C

208

н

t r

Күтерілу уақыты

50

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

528

н

t f

Күз мезгілі

184

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

141

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

132

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=400А, R G=0.82Ω,V ГЭ =±15В, T ж =150o C

216

н

t r

Күтерілу уақыты

50

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

544

н

t f

Күз мезгілі

204

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

161

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

137

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

T ж =150o C,V CC = 100V, V КЕМ ≤1700В

1600

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

IF = 400А,В ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.80

2.25

V

IF = 400А,В ГЭ =0В,Т ж =125o C

1.90

IF = 400А,В ГЭ =0В,Т ж =150o C

1.95

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =400А,

-di/dt=8800A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =25o C

116

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

666

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

63.8

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =400А,

-di/dt=8800A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =125o C

187

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

662

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

114

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =400А,

-di/dt=8800A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =150o C

209

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

640

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

132

мЖ

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі nce, Терминалдан Чипке

0.35

mΩ

R тЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.063

0.105

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.032

0.053

0.010

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g