200А,600В~1800В,413F3D
Өнім брошюрасы:Жүктеу
Қысқаша таныстыру
Жылдам өшірілетін тиристор модульдері ,MK(H)x200 MK200, 200A, Ауа салқындату ,tECHSEM компаниясымен өндірілген.
VRRM,VDRM |
Түрі & Сызба |
|
600В |
MKx200-06-413F3D |
MHx200-06-413F3D |
800V |
MKx200-08-413F3D |
MHx200-08-413F3D |
1000В |
MKx200-10-413F3D |
MHx200-10-413F3D |
1200В |
MKx200-12-413F3D |
MHx200-12-413F3D |
1400V |
MKx200-14-413F3D |
MHx200-14-413F3D |
1600V |
MKx200-16-413F3D |
MHx200-16-413F3D |
1800V |
MKx200-18-413F3D |
MHx200-18-413F3D |
1800V |
MK200-18-413F3DG |
|
MKx - кез келген түрдің MKC, МКА, МКК
MHx - кез келген түрдің МХК, МХА, MHK
Ertelikter ：
Типілік қолданулар ：
|
Символ |
Сипаттама |
Сынақ шарттары |
Tj( ℃) |
Мәні |
Бірлік |
||
МИН |
Түрі |
Макс |
|||||
IT(AV) |
Орташа қосу күйіндегі ток |
180°жартылай синусоидалық толқын 50Гц Бір жақты салқындатылған, Tc=85 ℃ |
125 |
|
|
200 |
A |
IT(RMS) |
RMS қосу күйіндегі ток |
|
|
314 |
A |
||
IDRM IРРМ |
Қайталау шыңы ағым |
vDRM және VRRM кезінде |
125 |
|
|
50 |
mА |
ITSM |
Пик қосу күйіндегі ток |
10мс жартылай синусоидалы толқын VR=60%VRRM |
125 |
|
|
4.8 |
kA |
I2t |
Фузия координациясы үшін I2t |
|
|
115 |
103A2с |
||
V Дейін |
Төменгі кернеу |
|
125 |
|
|
1.65 |
V |
r T |
Қосу күйіндегі көлбеу кедергі |
|
|
0.60 |
мин |
||
V ТМ |
Пик қосу күйіндегі кернеу |
ITM=600A |
25 |
|
|
2.65 |
V |
dv/dt |
Өшіру күйіндегі кернеудің критикалық өсу жылдамдығы |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
800 |
V/μs |
di/dt |
Ағымдағы ағымның жоғарылауының критикалық жылдамдығы |
Қақпа көзі 1.5A tr ≤0.5μs Қайталау |
125 |
|
|
200 |
А/μс |
tq |
Схема бойынша коммутирленген өшіру уақыты |
ITM=200A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs |
125 |
20 |
|
40 |
μs |
25 |
6 |
|
16 |
μs |
|||
IGT |
Қақпа триггерлік тока |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
30 |
|
180 |
mА |
Vgt |
Қақпа триггерлік кернеу |
0.8 |
|
2.5 |
V |
||
IH |
Ұстап тұратын ток |
20 |
|
200 |
mА |
||
IL |
Латчинг ток |
|
|
1000 |
mА |
||
V GD |
Триггерленбеген қақпа кернеуі |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.2 |
V |
Rth(j-c) |
Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа |
Әр чип үшін бір жақты салқындатылған |
|
|
|
0.100 |
℃/W |
Rth(c-h) |
Жылу кедергісі корпусқа дейін радиатор |
Әр чип үшін бір жақты салқындатылған |
|
|
|
0.040 |
℃/W |
VISO |
Изоляция кернеуі |
50Гц,R.M.S,t= 1мин,Iiso:1mA(MAX) |
|
2500 |
|
|
V |
|
Fm |
Терминал қосылысының қозғалтқышы ((M8) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
Н·м |
Монтаж моменті (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
Н·м |
|
TVj |
Байланыс температурасы |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
ТСТГ |
Сақталған температура |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Салмағы |
|
|
|
770 |
|
g |
Нысан |
413F3D |
||||||
Біздің кәсіби сату тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.
EN
