IGBT Модулі 1700V

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыС@ Тc=Ауысу100лыc

493

300

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

600

a)

pd

Максималды қуат тарату @ TАуысу=175лыc

1829

w

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1700

v

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

300

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

600

a)

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

лыc

tЖТГ

сақтау температурасыАуқымы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

4000

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитенткеАуысуҚанығу кернеуі

ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

1.85

2.20

Ауысу

Ауысу

v

ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

2.25

Ауысу

ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

2.35

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=Ауысу12,0 мА,Влы=VГЭ,tj=25лыc

5.6

6.2

6.8

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылғанағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

2.5

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,АуысуvГЭ=0В

Ауысу

36.1

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыруАуысуҚуаттылық

Ауысу

0.88

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-15Ауысу...+15В

Ауысу

2.83

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

vCC=900V,Ic=300A,АуысуrҚон=3,3Ω,

rГофф=4.7Ω,АуысуvГЭ=±15В,

tj=25лыc

Ауысу

213

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

83

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

621

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

350

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту

Ауысу

79.2

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту

Ауысу

70.2

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

vCC=900V,Ic=300A,АуысуrҚон=3,3Ω,

rГофф=4.7Ω,АуысуvГЭ=±15В,

tj=Ауысу125лыc

Ауысу

240

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

92

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

726

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

649

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту

Ауысу

104

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту

Ауысу

108

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

vCC=900V,Ic=300A,АуысуrҚон=3,3Ω,rГофф=4.7Ω,Ауысу

vГЭ=±15В,tj=Ауысу150лыc

Ауысу

248

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

95

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

736

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

720

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту

Ауысу

115

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту

Ауысу

116

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В,

tj=150лыC,VCC=Ауысу1000В,VКЕМ≤1700В

Ауысу

Ауысу

1200

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

Ауысу

vf

Алға қарай диодкернеу

if=300A,VГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.80

2.25

Ауысу

v

if=300A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc

Ауысу

1.90

Ауысу

if=300A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу150лыc

Ауысу

1.95

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

vr=900V,If=300A,

-di/dt=3300A/μs,VГЭ=-15ВАуысуtj=25лыc

Ауысу

82.5

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

407

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

46.6

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vr=900V,If=300A,

-di/dt=3300A/μs,VГЭ=-15ВАуысуtj=125лыc

Ауысу

138

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

462

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

92.2

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vr=900V,If=300A,

-di/dt=3300A/μs,VГЭ=-15ВАуысуtj=150лыc

Ауысу

154

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

460

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

109

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

r25

Атаулы кедергі

Ауысу

Ауысу

5.0

Ауысу

kΩ

ΔR/R

АуыспалыАуысулықАуысуr100

tc=Ауысу100АуысулыC,R100= 493,3Ω

-5

Ауысу

5

%

p25

қуаттылығы

шашырау

Ауысу

Ауысу

Ауысу

20.0

мв

b25/50

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/501/Т2- Мен...Ауысу1 / 298.15K))]

Ауысу

3375

Ауысу

k

b25/80

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/801/Т2- Мен...Ауысу1 / 298.15K))]

Ауысу

3411

Ауысу

k

b25/100

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/1001/Т2- Мен...Ауысу1 / 298.15K))]

Ауысу

3433

Ауысу

k

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

20

Ауысу

nH

rCC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі,Терминалдан чипке

Ауысу

1.10

Ауысу

mΩ

rТЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)Құрамына байланысты (D-ға)йод)

Ауысу

Ауысу

0.082Ауысу0.129

К/W

Ауысу

rТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)Қалқа-жылу сорғышы (p)er Diode)Қалқадан жылу сығындысына (адамға)Модуль)

Ауысу

0.029Ауысу0.046Ауысу0.009

Ауысу

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуБолт M5

3.0Ауысу3.0

Ауысу

6.0Ауысу6.0

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

350

Ауысу

g