GD300CUX120C2SA,IGBT Модулі,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=100o C

477

300

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

600

A

PD

Максималды қуаттылық vj =175o C

1578

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

300

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

600

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=300A,V ГЭ =15В, T vj =25o C

1.70

2.15

V

IC=300A,V ГЭ =15В, T vj =125o C

1.95

IC=300A,V ГЭ =15В, T vj =150o C

2.00

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=12.0mА ,V CE =V ГЭ , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

1.0

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

31.1

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.87

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

2.33

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=300A, R G=1.3Ω, Ls=43нГ, V ГЭ =±15В,Т vj =25o C

181

н

t r

Күтерілу уақыты

39

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

305

н

t f

Күз мезгілі

199

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

22.7

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

21.0

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=300A, R G=1.3Ω, Ls=43нГ, V ГЭ =±15В,Т vj =125o C

191

н

t r

Күтерілу уақыты

45

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

357

н

t f

Күз мезгілі

313

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

39.8

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

30.7

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=300A, R G=1.3Ω, Ls=43нГ, V ГЭ =±15В,Т vj =150o C

193

н

t r

Күтерілу уақыты

47

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

368

н

t f

Күз мезгілі

336

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

44.2

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

32.3

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =150o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

1200

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =300A,V ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =300A,V ГЭ =0В,Т vj =125o C

1.90

IF =300A,V ГЭ =0В,Т vj =150o C

1.95

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =300A,

-ди/дt=7400А/мкс, Ls=43нГ, V ГЭ =-15В,T vj =25o C

59.7

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

397

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

24.9

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =300A,

-ди/дt=6300А/мкс, Ls=43нГ, V ГЭ =-15В,T vj =125o C

91.8

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

383

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

36.5

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =300A,

-ди/дt=6100А/мкс, Ls=43нГ, V ГЭ =-15В,T vj =150o C

99.6

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

380

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

39.1

мЖ

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.35

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT ) Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.095 0.163

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

0.022 0.037 0.010

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g