GD1200SGX170A3S, 1700 В 1200 А, IGBT модулі,

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=100o C

2206

1200

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

2400

A

PD

Максималды қуаттылық ж =175o C

8.77

КВт

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1700

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

1200

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

2400

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t= 1 минут

4000

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=1200А,V ГЭ =15В, T ж =25o C

1.85

2.20

V

IC=1200А,V ГЭ =15В, T ж =125o C

2.25

IC=1200А,V ГЭ =15В, T ж =150o C

2.35

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=48.0mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25o C

5.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

1.0

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

145

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

3.51

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

11.3

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=1200A, R G=1,0Ω,

V ГЭ =-9/+15В,

LСек =65nH ,T ж =25o C

440

н

t r

Күтерілу уақыты

112

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

1200

н

t f

Күз мезгілі

317

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

271

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

295

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=1200A, R G=1,0Ω,

V ГЭ =-9/+15В,

LСек =65nH ,T ж =125o C

542

н

t r

Күтерілу уақыты

153

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

1657

н

t f

Күз мезгілі

385

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

513

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

347

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=1200A, R G=1,0Ω,

V ГЭ =-9/+15В,

LСек =65nH ,T ж =150o C

547

н

t r

Күтерілу уақыты

165

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

1695

н

t f

Күз мезгілі

407

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

573

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

389

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T ж =150o C,V CC =1000V, V КЕМ ≤1700В

4800

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =1200А,V ГЭ =0В, Т ж =25℃

1.80

2.25

V

IF =1200А,V ГЭ =0В, Т ж =125℃

1.90

IF =1200А,V ГЭ =0В, Т ж =150℃

1.95

Qr

Алынған айыппұл

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=10500А/мс,V ГЭ =-9В, LСек =65нH,T ж =25℃

190

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

844

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

192

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=7050А/мс,V ГЭ =-9В, LСек =65нH,T ж =125℃

327

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

1094

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

263

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=6330А/мс,V ГЭ =-9В, LСек =65нH,T ж =150℃

368

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

1111

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

275

мЖ

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

12

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.19

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT ) Құрамына байланысты (D-ға) йод)

17.1 26.2

K/kW

R тХ

Қорап —дейін —Жылу сорғышы (perIGBT )Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

9.9 15.2 6.0

K/kW

Мин

Электр терминалы Шраф:M4 Электр терминалы Шрафта:M8 Тіркемелік бұранда:M6

1.8 8.0 4.25

2.1 10.0 5.75

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

1050

g