Ნა£ე£ა ნო. Y75ZPA-B-Z68T
Პრეპარატის ბროშურა:Გადმოწერეთ
I T(AV) |
18000Ა |
V DRM v RRM |
200V 400V |
Მახასიათებლები
Ტიპიური გამოყენებები
|
Სიმბოლო |
Მახასიათებლები |
Გამოცდის პირობები |
Tj( °C ) |
Ღირებულება |
Ერთეული |
||
Მნ |
Ტიპი |
Მაქს |
|||||
IF(AV) |
Საშუალო წინასწარი დენი |
180° ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz Ორმხრივი გაგრილება, TC=85 。C |
175 |
|
|
18000 |
Ა |
VRRM |
Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა |
tp=10ms |
175 |
200 |
|
400 |
V |
IRRM |
Განმეორებითი პიკური დენი |
vRRM-ზე |
175 |
|
|
80 |
mA |
IFSM |
Სალტო წინასწარი დენი |
10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0VRRM |
175 |
|
|
135 |
kA |
I2t |
I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის |
|
|
90000 |
A2s*103 |
||
VFO |
Საფეხური ძაბვა |
IFM=12000-24000A |
175 |
|
|
0.75 |
V |
rF |
Წინასწარი სლოპის წინააღმდეგობა |
|
|
0.017 |
მΩ |
||
VFM |
Მაქსიმალური პიკი აქტიური ძაბვა |
IFM=6000A |
25 |
|
|
1.00 |
V |
Კრრ |
Აღდგენის გადასახადი |
IFM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V |
175 |
|
|
300 |
µC |
Rth(j-c) |
Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე |
1800 სინუსზე, ორმხრივი გაგრილება |
|
|
|
0.003 |
。C /W |
Rth(c-h) |
Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამათბობელზე |
|
|
|
0.0015 |
||
FM |
Მონტაჟის ძალა |
|
|
70 |
80 |
90 |
kN |
Tvj |
Ჯუნქციის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
175 |
。C |
TSTG |
Შენახვის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
175 |
。C |
Wt |
Წონა |
|
|
|
540 |
|
g |
Კონტური |
Z68T |
||||||
Ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
Თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.
EN
