GD300HFX170C2S, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C

@ ტ C= 100o C

493

300

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

600

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის გაფანტვა T =175o C

1829

W

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=300A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.85

2.20

V

IC=300A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

2.25

IC=300A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.35

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC= 12.0mA,V CE =V GE , ტ ჯ =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული

Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V,

T ჯ =25o C

1.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

2.5

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

36.1

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

0.88

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V GE =- 15…+15V

2.83

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=300A, Რ G=2.4Ω,

V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

204

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

48

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

595

n

t f

Შემოდგომის დრო

100

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

69.3

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

63.3

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=300A, Რ G=2.4Ω

v GE =±15 ვოლტი, T ჯ = 125o C

224

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

55

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

611

n

t f

Შემოდგომის დრო

159

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

96.8

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

99.0

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=300A, Რ G=2.4Ω

v GE =±15 ვოლტი, T ჯ = 150o C

240

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

55

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

624

n

t f

Შემოდგომის დრო

180

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

107

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

105

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs,V GE =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

1200

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

IF =300A,V GE =0V,T ჯ =25o C

1.80

2.25

V

IF =300A,V GE =0V,T ჯ = 125o C

1.90

IF =300A,V GE =0V,T ჯ = 150o C

1.95

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T ჯ =25o C

55

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

297

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

32.2

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T ჯ =125o C

116

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

357

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

68.2

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T ჯ =150o C

396

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

120

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

81.6

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდული Lead Resista თმალალთ ნა ქპს

0.35

mΩ

Რ thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.082

0.129

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.033

0.051

0.010

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

300

g