|
Სიმბოლო
|
Მახასიათებლები
|
Გამოცდის პირობები
|
Tj(°C )
|
Ღირებულება |
Ერთეული
|
Მნ |
Ტიპი |
Მაქს |
IT(AV) |
Საშუალო ჩართული მიმდინარე |
180° ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz ორმხრივი გაგრილება, |
TC=55℃ |
125 |
|
|
1494 |
Ა |
TC=70℃ |
|
|
1243 |
VDRM |
Განმეორებითი პიკი გამორთვის ძაბვა |
tp=10ms
|
125
|
1200 |
|
2000 |
V
|
VRRM |
Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა |
1000 |
|
1800 |
Ირმ ირმ |
Განმეორებითი პიკური დენი |
vDRM-ზე VRRM-ზე |
125 |
|
|
80 |
mA |
ITSM |
Სერჟი ჩართული მიმდინარე |
10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM |
125 |
|
|
17 |
kA |
I2t |
I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის |
|
|
1445 |
A2s* 103 |
VTO |
Საფეხური ძაბვა |
|
125 |
|
|
1.57 |
V |
რტ |
Ჩართული მდგომარეობის სლოპ წინააღმდეგობა |
|
|
0.21 |
mΩ |
VTM |
Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა |
ITM=3000A, F=24kN |
15μs≤tq≤28μs |
25 |
|
|
2.50 |
V |
29μs≤tq≤55μs |
|
|
2.10 |
V |
dv/dt |
Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე |
VDM=0.67VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μS |
di/dt |
Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე |
VDM= 67%VDRM 1600A-მდე,
Კარიბჭის პულსი tr ≤0.5μs IGM= 1.5A
|
125 |
|
|
1500 |
A/μS |
Კრრ |
Აღდგენის გადასახადი |
ITM= 1000A,tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR=100V |
125 |
|
750 |
|
μC |
tq |
Სქემის კომუტირებული გამორთვის დრო |
ITM= 1000A,tp=4000μs,VR= 100V dv/dt=30V/μs,di/dt=-20A/μs |
125 |
15 |
|
55 |
μs |
IGT |
Კარის ტრიგერის მიმდინარე |
VA= 12V, IA= 1A
|
25
|
40 |
|
300 |
mA |
Vgt |
Კარების ტრიგერის ძაბვა |
0.9 |
|
3.0 |
V |
IH |
Შენარჩუნების მიმდინარე |
20 |
|
500 |
mA |
IL |
Ჩაკეტვის მიმდინარე |
|
|
1000 |
mA |
VGD |
Არატრიგერის კარების ძაბვა |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.3 |
V |
Rth(j-c) |
Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე |
1800 sin, ორმაგი მხრიდან გაგრილებული Clamping ძალა 24kN |
|
|
|
0.020 |
。C /W
|
Rth(c-h) |
Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამათბობელზე |
|
|
|
0.005 |
FM |
Მონტაჟის ძალა |
|
|
19 |
|
26 |
kN |
Tvj |
Ჯუნქციის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
TSTG |
Შენახვის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
140 |
°C |
Wt |
Წონა |
|
|
|
440 |
|
g |
Კონტური |
KT50cT |
EN
