Y50KFE, არ სიმეტრიული სწრაფი გამორთვის თირისტორი

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj(°C )

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IT(AV)

Საშუალო ჩართული მიმდინარე

180° ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz ორმხრივი გაგრილება,

TC=55℃

125

1494

Ა

TC=70℃

1243

VDRM

Განმეორებითი პიკი გამორთვის ძაბვა

tp=10ms

125

1200

2000

V

VRRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1000

1800

Ირმ ირმ

Განმეორებითი პიკური დენი

vDRM-ზე VRRM-ზე

125

80

mA

ITSM

Სერჟი ჩართული მიმდინარე

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM

125

17

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

1445

A2s* 103

VTO

Საფეხური ძაბვა

125

1.57

V

რტ

Ჩართული მდგომარეობის სლოპ წინააღმდეგობა

0.21

mΩ

VTM

Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=3000A, F=24kN

15μs≤tq≤28μs

25

2.50

V

29μs≤tq≤55μs

2.10

V

dv/dt

Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μS

di/dt

Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM= 67%VDRM 1600A-მდე,

Კარიბჭის პულსი tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1500

A/μS

Კრრ

Აღდგენის გადასახადი

ITM= 1000A,tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR=100V

125

750

μC

tq

Სქემის კომუტირებული გამორთვის დრო

ITM= 1000A,tp=4000μs,VR= 100V dv/dt=30V/μs,di/dt=-20A/μs

125

15

55

μs

IGT

Კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA= 12V, IA= 1A

25

40

300

mA

Vgt

Კარების ტრიგერის ძაბვა

0.9

3.0

V

IH

Შენარჩუნების მიმდინარე

20

500

mA

IL

Ჩაკეტვის მიმდინარე

1000

mA

VGD

Არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

1800 sin, ორმაგი მხრიდან გაგრილებული Clamping ძალა 24kN

0.020

。C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამათბობელზე

0.005

FM

Მონტაჟის ძალა

19

26

kN

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

°C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

140

°C

Wt

Წონა

440

g

Კონტური

KT50cT