Y50ZEA, მაღალი სიხშირის შედუღების დიოდი

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj( 。C)

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IF (AV )

Საშუალო წინასწარი დენი

180。ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz

Ორმხრივი გაგრილება, TC=85 。C

175

5000

Ა

VRRM

Განმეორებადი პიკი უკუქცევითი ძაბვა

tp=10ms

175

200

400

V

IRRM

Განმეორებადი პიკური დენი

vRRM-ზე

175

50

mA

IFSM

Სალტო წინასწარი დენი

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა Ვირტუალური რეალობა =0 VRRM

175

45

kA

I 2t

I 2t თვის ფუზირება კოორდინაცია

10000

103Ა 2s

VFO

Საფეხური ძაბვა

I F=5000-15000A

175

0.82

V

rF

Წინ წვერი გამძლეობა

0.032

მΩ

VFM

Მნ Პიკის მდგომარეობაში vol ტეგი

IFM=5000A,F=30kN

25

1.10

V

Ირ

Აღდგენის დენი

IFM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-60A/μs, Ვირტუალური რეალობა =100 ვოლტი

175

40

Ა

trr

Აღდგენის დრო

3.0

µs

Კრრ

Აღდგენის გადასახადი

100

µC

Rth (j-c)

Თერმული გამძლეობა Ჯუნქციისგან კორპუსამდე

Ორმხრივი გაგრილებული

Დაჭერის ძალა 30.0kN

0.010

。C/W

Rth (c-h)

Თერმული გამძლეობა კორპუსი სითბოს გამტარებელი

0.005

FM

Მონტაჟის ძალა

20

40

kN

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

175

。C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

175

。C

Wt

Წონა

140

g

Კონტური

ZT44T