Y100KFG,არასიმეტრიული სწრაფი გამორთვის თირისტორი

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj(°C )

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IT(AV)

Საშუალო ჩართული მიმდინარე

180。ნახევარი სინუსოიდური ტალღა 50Hz ორმხრივი გაგრილება

TC=55℃

125

4890

Ა

Ირმ ირმ

Განმეორებითი პიკური დენი

vDRM-ზე tp= 10ms VRRM-ზე tp= 10ms

125

250

mA

ITSM

Სერჟი ჩართული მიმდინარე

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM

125

63

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

19845

103A2s

VTO

Საფეხური ძაბვა

125

1.30

V

რტ

Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

0.13

mΩ

VTM

Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=5000A, F=90kN

25μs≤tq≤45μs

25

2.50

V

46μs≤tq≤75μs

1.80

V

76μs≤tq≤100μs

1.60

V

dv/dt

Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μS

di/dt

Კრიტიკული ზრდის სიჩქარე ჩართვის მიმდინარე (არადამეორებითი)

VDM= 67%VDRM,

Კარიბჭის პულსი tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1200

A/μS

Კრრ

Აღდგენის გადასახადი

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V

125

2100

μC

tq

Სქემის კომუტირებული გამორთვის დრო

ITM=2000A, tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs

125

25

100

μs

IGT

Კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA= 12V, IA= 1A

25

40

250

mA

Vgt

Კარების ტრიგერის ძაბვა

0.9

2.5

V

IH

Შენარჩუნების მიმდინარე

20

1000

mA

IL

Ჩაკეტვის მიმდინარე

1500

mA

VGD

Არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

180-ზე ° სინი, ორმხრივი გაგრილება კლამპირების ძალა 90kN

0.0050

。C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

0.0015

FM

Მონტაჟის ძალა

81

108

kN

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

°C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

140

°C

Wt

Წონა

2000/ 2500

g

Კონტური

KT100cT/ KT100dT