1 |
IGBT მოდული და მძიმე |
2 |
IGCT მოდული და მძიმე |
3 |
FRD მოდული |
4 |
Დიოდის მოდული |
5 |
Ტრიაკის მოდული |
6 |
Დენის სენსორი |
7 |
Კაპაციტორი |
8 |
Რეზისტორი |
9 |
Სოლიდური რელეი |
10 |
Ინდუსტრიული რობოტები და ძირითადი ნაწილები |
11 |
Ცივი უმანედ ჰავი და ძირითადი ნაწილები |
Სიმბოლო |
Აღწერა |
Ღირებულება |
Ერთეული |
V CES |
3300 |
V |
|
V CE ((sat)
|
Თპ. |
2.5 |
V |
I C
|
Მაქსიმალური |
250 |
Ა |
I C ((RM)
|
IC(RM) |
500 |
Ა |
Სიმბოლო |
Აღწერა |
Ღირებულება |
Ერთეული |
V CES |
Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა |
3300 |
V |
V Გენერალური საწვავის სისტემა |
Ღობე-გამომცემის ძაბვა |
±20 |
V |
I C |
Კოლექტორის დენი @ T C =100℃ |
250 |
Ა |
I C(PK) |
Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms |
500 |
Ა |
Პ მაქს
|
Მაქსიმალური ტრანზიტორის ენერგიის გაფანტვა Tvj = 150°C, TC = 25 °C |
2600 |
W |
I 2t |
Დიოდი I 2t V R =0V, t Პ = 10ms, Tvj = 150 °C
|
20 |
kA 2s |
V isol
|
Იზოლაციის ძაბვა – თითო მოდულზე ( ტერმინალები ერთიანი ბაზის პლატფორმამდე),
AC RMS,1 წთ, 50Hz,TC= 25 °C |
6000 |
W |
Q PD
|
Პარტიული გაწვდვა – თითო მოდულზე IEC1287.V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS
|
10 |
pC |
Სიმბოლო |
Განმარტება |
Ღირებულება |
Ერთეული |
Სრიალების მანძილი |
Ტერმინალი Heatsink-სთვის |
33.0 |
მმ |
Ტერმინალი ტერმინალამდე |
33.0 |
მმ |
|
Სუფთა სივრცე |
Ტერმინალი Heatsink-სთვის |
20.0 |
მმ |
Ტერმინალი ტერმინალამდე |
20.0 |
მმ |
|
CTI (შემთხვევითი თვალყურის მიდევნების ინდექსი) |
Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms |
＞600 |
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Გამოცდის პირობები |
Მინ. |
Მაქსიმალური |
Ღირებულება |
Ერთეული |
|
R th(J-C) IGBT |
Თერმოელექტრო რეზისტანსი – IGBT |
48 |
Კვ/კვ |
°C |
|||
R th(J-C) დიოდი |
Თერმოელექტრო რეზისტანსი – დიოდი |
80 |
Კვ/კვ |
°C |
|||
R th(C-H) IGBT |
Თერმოელექტრო რეზისტანსი – ქეისში თბილსასმელი (IGBT) |
Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა 5Nm, დამონტაჟების ცხიმით 1W/m·°C |
18 |
Კვ/კვ |
°C |
||
R თერმინული სიდიდე (C-H) დიოდი |
Თერმოელექტრო რეზისტანსი – ქუმბარზე (დიოდი) |
Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა 5Nm, დამონტაჟების ცხიმით 1W/m·°C |
36 |
Კვ/კვ |
V |
||
T vj op
|
Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა |
IGBT |
-40 |
150 |
°C |
||
Დიოდი |
-40 |
150 |
°C |
||||
M |
Შრიფტის ბრუნვის მომენტი |
Დამონტაჟება M6 |
5 |
nm |
|||
Ელექტრო კავშირები – M5 |
4 |
nm |
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Გამოცდის პირობები |
Მინ. |
Თპ. |
Მაქსიმალური |
Ერთეული |
I CES
|
Კოლექტორის გამორთული დენი |
V Გენერალური საწარმოები = 0V,V CE = V CES
|
1 |
mA |
||
V Გენერალური საწარმოები = 0V, V CE = V CES , ტ C =125 °C |
15 |
mA |
||||
V Გენერალური საწარმოები = 0V, V CE = V CES , ტ C =150 °C |
25 |
mA |
||||
I Გენერალური საწვავის სისტემა
|
Ღობეების გაჟონვის დენი |
V Გენერალური საწარმოები = ±20V, V CE = 0V |
1 |
μA |
||
V GE (TH)
|
Ღობეების ზღვრული ძაბვა |
I C = 20მა, V Გენერალური საწარმოები = VCE |
5.5 |
6.1 |
7.0 |
V |
VCE (სატური)
|
Კოლექტორ-გამომცემის გაჯერების ძაბვა |
VGE = 15V, IC = 250A |
||||
VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C |
||||||
VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C |
||||||
I F
|
Დიოდური წინასწარი დენი |
DC |
250 |
Ა |
||
I FRM
|
Დიოდის პიკის წინასწარი დენი |
t Პ = 1მს |
500 |
Ა |
||
V F
|
Დიოდის წინამავალი ძაბვა |
I F = 250A, V Გენერალური საწარმოები = 0 |
2.10 |
2.40 |
V |
|
I F = 250A, V Გენერალური საწარმოები = 0, T vj = 125 °C |
2.25 |
2.25 |
V |
|||
I F = 250A, V Გენერალური საწარმოები = 0, T vj = 150 °C |
2.25 |
2.25 |
V |
|||
I SC
|
Კოროტკი წრის ძრავი |
T vj = 150° C, V CC = 2500 ვოლტი, V Გენერალური საწარმოები ≤15V, tp≤10μs, V CE (max) = V CES – L (*2)×di/dt, IEC 6074 |
900 |
Ა |
||
Კაი |
Შეყვანის სიმძლავრე |
VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz |
27 |
nF |
||
Სათაო ოფისი |
Კარიბჭის გადასახადი |
±15 |
2.6 |
V |
||
Კრეს |
Საპირისპირო გადაცემის სიმძლავრე |
VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz |
0.9 |
nF |
||
L M
|
Მოდულის ინდუქტენტობა |
40 |
nH |
|||
R INT
|
Ტრანზიისტორის შიდა წინააღმდეგობა |
0.5 |
mΩ |
Ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
Თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.
EN
