1 |
IGBT მოდული და მძიმე |
2 |
IGCT მოდული და მძიმე |
3 |
Ინვერტორის ბირთვის დაფა |
4 |
Დიოდის მოდული |
5 |
Ტრიაკის მოდული |
6 |
Დენის სენსორი |
7 |
Კაპაციტორი |
8 |
Რეზისტორი |
9 |
Ენერგიის შენახვის სისტემა |
10 |
Ინდუსტრიული რობოტები და ძირითადი ნაწილები |
11 |
Ცივი უმანედ ჰავი და ძირითადი ნაწილები |
Სიმბოლო |
Აღწერა |
Ღირებულება |
Ერთეული |
V CES |
1200 |
V |
|
V CE ((sat)
|
Თპ. |
1.85 |
V |
I C
|
Მაქსიმალური |
1000 |
Ა |
IC(RM) |
Მაქსიმალური |
2000 |
Ა |
Სიმბოლო |
Აღწერა |
Ღირებულება |
Ერთეული |
V CES |
Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა |
1700 |
V |
V Გენერალური საწვავის სისტემა |
Ღობე-გამომცემის ძაბვა |
±20 |
V |
I C |
Კოლექტორის დროშა @ Tcase = 90 °C |
1000 |
Ა |
I C(PK) |
Მაქსიმალური კოლექტორის დროშა ,tp=1ms, Tcase = 110 °C |
2000 |
Ა |
Პ მაქს |
Მაქსიმალური ტრანსისტორის ძალის გამოსახულება,Tvj = 150°C, Tcase = 25 °C |
6250 |
W |
I 2t |
Დიოდი I 2t ,V R =0V, t Პ = 10ms, T vj = 150°C |
144 |
kA 2s |
V isol
|
( საერთო ტერმინალები ბაზის პლატოსთვის), AC RMS, 1 წუთი, 50Hz |
4000 |
V |
I F
|
Დიოდის წინა დღე, DC |
1000 |
Ა |
I FRM
|
Დიოდის მაქსიმალური წინა დღე, tp=1ms |
2000 |
Ა |
Მონტაჟის მომენტები |
Მონტაჟი – M5 |
6 |
Nm |
Ელექტრო კავშირები M8 |
10 |
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Გამოცდის პირობები |
Მინ. |
ტიპი |
Მაქსიმალური |
Ღირებულება |
Ერთეული |
|
V F
|
Დიოდის წინამავალი ძაბვა |
I F =1000A, V G E = 0, Tvj = 25 °C |
1.80 |
2.20 |
V |
|||
I F =1000A, V Გენერალური საწარმოები = 0, Tvj = 125 °C |
1.90 |
2.30 |
||||||
I F =1000A, V Გენერალური საწარმოები = 0, Tvj = 125 °C |
1.90 |
2.30 |
||||||
I FRM
|
Დიოდის პიკის წინასწარი დენი |
t Პ = 1მს |
2000 |
Ა |
||||
I F
|
Დიოდის წინა დღე, |
DC |
1000 |
Ა |
||||
Ირ |
Დიოდი საპირისპირო აღდგენის დენი |
Თუ IF =1000A, VCE = 900V, - diF/dt = 7200A/us (Tvj= 150 °C) @Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C
@Tvj= 150 °C
|
520 |
Ა |
||||
620 |
||||||||
655 |
||||||||
Კრრ |
Დიოდი საპირისპირო აღდგენის გადასახადი |
285 |
μC |
|||||
315 |
||||||||
340 |
||||||||
E რეკ
|
Დიოდის უკუქცევითი აღდგენის ენერგია |
IF =900A, VCE = 600V, - diF/dt = 6800A/us (Tvj= 150 °C).@Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C |
110 |
mJ |
||||
235 |
||||||||
240 |
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Გამოცდის პირობები |
Მინ. |
Თპ. |
Მაქსიმალური |
Ერთეული |
V CE (sat)
|
Კოლექტორ-გამომცემის გაჯერების ძაბვა |
V Გენერალური საწარმოები =15V, I C = 900A,T vj = 25°C |
1.75 |
2.15 |
V |
|
V Გენერალური საწარმოები =15V, I C = 900A,T v j= 125°C |
2.1 |
2.5 |
||||
V Გენერალური საწარმოები =15V, I C = 900A,T vj = 150°C |
2.2 |
2.6 |
||||
I CES |
Კოლექტორის გამორთული დენი |
V Გენერალური საწარმოები =15V, I C = 900A,Tvj= 25°C |
1 |
mA |
||
V Გენერალური საწარმოები =15V, I C = 900A,Tvj= 125°C |
10 |
|||||
V Გენერალური საწარმოები =15V, I C = 900A,Tvj= 150°C |
20 |
|||||
I Გენერალური საწვავის სისტემა
|
Ღობეების გაჟონვის დენი |
V CE =0V, V Გენერალური საწარმოები = ±20V, |
4 |
μA |
||
V GE (TH)
|
Ღობე-გამშვები ღობეების საზღვრის ძაბვა |
I C = 40mA, V Გენერალური საწარმოები = V CE
|
5.0 |
6.0 |
7.0 |
V |
t d(on)
|
Ჩართვის შეფერხების დრო @Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C
@Tvj= 150 °C
|
IC =1000A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(გამორთვა) = 1.8Ω, LS = 20ნჰ, dv/dt =3000V/მკვ. (Tvj= 150 °C) @Tvj= 25 °C
@Tvj= 25 °C
@Tvj= 25 °C
|
1320 |
n |
||
1410 |
||||||
1440 |
||||||
ტდ (((გამოხურული) |
Გამორთვის დაგვიანების დრო @Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C |
IC =1000A,
VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(გამორთვა) = 1.8Ω, LS = 20ნჰ, dv/dt =3000V/მკვ. (Tvj= 150 °C) @Tvj= 25 °C
@Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C |
500 |
n |
||
470 |
||||||
450 |
||||||
I SC
|
Კოროტკი წრის ძრავი |
Tvj= 150°C, V CC = 800V, V Გენერალური საწარმოები ≤15V, tp≤10μs, V CE(მაქს) = VCES –L(*2)×di/dt, IEC 6074-9 |
3800 |
Ა |
||
Კაი |
Შეყვანის სიმძლავრე |
V CE = 25V, V Გენერალური საწარმოები = 0V, f = 100kHz |
147 |
nF |
||
Კრეს |
Საპირისპირო გადაცემის სიმძლავრე |
V CE = 25V, V Გენერალური საწარმოები = 0V, f = 100kHz |
1.5 |
nF |
||
Სათაო ოფისი |
Კარიბჭის გადასახადი |
±15V |
11.4 |
µC |
||
E ჩართული
|
Ჩართვის ენერგიის დაკარგვა @Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C |
Თუ IF =1000A, VCE = 900V, - diF/dt = 7200A/us (Tvj= 150 °C) |
340 |
mJ |
||
370 |
||||||
385 |
||||||
E გათიშული
|
Გამორთვის გადართვის ენერგიის დაკარგვა @Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C |
IIF =1000A, VCE = 900V, - diF/dt = 7200A/us (Tvj= 150 °C) |
350 |
mJ |
||
360 |
||||||
385 |
Ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
Თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.