800A,600V~1800V,411F3
Პრეპარატის ბროშურა:Გადმოწერეთ
Მოკლე შესავალი
Თირისტორი/დიოდის მოდული e, MTx800 MFx800 MT800 ,8 00Ა ,Წყლის გაგრილება ，ნაოპაგთლ ნა TECHSEM.
Მოკლე შესავალი
Თირისტორი/დიოდის მოდული e, MTx 800 MFx 800 MT 800，800Ა ,Წყლის გაგრილება ，ნაოპაგთლ ნა TECHSEM.
VRRM,VDRM |
Ტიპი და კონტური |
|
600V |
MT3 სათამაშო |
MFx800-06-411F3 |
800V |
MT3 სათამაშო |
MFx800-08-411F3 |
1000 ვოლტი |
MT3 სათამაშო |
MFx800-10-411F3 |
1200 ვოლტი |
MT3 სათამაშო |
MFx800-12-411F3 |
1400V |
MT3 სათამაშო |
MFx800-14-411F3 |
1600V |
MTx800-16-411F3 |
MFx800-16-411F3 |
1800V |
MT3 სათამაშო |
MFx800-18-411F3 |
1800V |
MT800-18-411F3G |
|
MTx ნიშნავს ნებისმიერი ტიპის MTC, MTA , MTK
MFx ნიშნავს ნებისმიერი ტიპის MFC, MFA, MFK
Მახასიათებლები
Ტიპიური გამოყენებები
|
Სიმბოლო |
Მახასიათებლები |
Გამოცდის პირობები |
Tj( °C ) |
Ღირებულება |
Ერთეული |
||
Მნ |
Ტიპი |
Მაქს |
|||||
IT(AV) |
Საშუალო ჩართული მიმდინარე |
180° ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz Ერთპიროვნული გაგრილება, THS=55 °C |
125 |
|
|
800 |
Ა |
IT(RMS) |
RMS აქტიური მიმდინარე |
|
|
1256 |
Ა |
||
Ირმ ირმ |
Განმეორებითი პიკური დენი |
vDRM-ზე VRRM-ზე |
125 |
|
|
45 |
mA |
ITSM |
Სერჟი ჩართული მიმდინარე |
VR=60%VRRM,t= 10ms ნახევარი სინუსი |
125 |
|
|
22.0 |
kA |
I2t |
I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის |
125 |
|
|
2420 |
103Ა 2s |
|
VTO |
Საფეხური ძაბვა |
|
125 |
|
|
0.90 |
V |
რტ |
Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა |
|
|
0.35 |
mΩ |
||
VTM |
Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა |
ITM=2400A |
25 |
|
|
1.95 |
V |
dv/dt |
Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μS |
di/dt |
Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე |
Გეითის წყარო 1.5A tr ≤0.5μs განმეორებითი |
125 |
|
|
200 |
A/μS |
IGT |
Კარის ტრიგერის მიმდინარე |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
30 |
|
200 |
mA |
Vgt |
Კარების ტრიგერის ძაბვა |
0.8 |
|
3.0 |
V |
||
IH |
Შენარჩუნების მიმდინარე |
10 |
|
200 |
mA |
||
IL |
Ჩაკეტვის მიმდინარე |
|
|
1000 |
mA |
||
VGD |
Არატრიგერის კარების ძაბვა |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.20 |
V |
Rth(j-c) |
Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე |
Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე |
|
|
|
0.050 |
°C /W |
Rth(c-h) |
Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე |
Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე |
|
|
|
0.024 |
°C /W |
VISO |
Იზოლაციის ძაბვა |
50Hz,R.M.S,t= 1წუთი,Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V |
|
FM |
Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი ((M12) |
|
|
12 |
|
16 |
N·მ |
Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა ((M8) |
|
|
10 |
|
12 |
N·მ |
|
Tvj |
Ჯუნქციის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
TSTG |
Შენახვის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
Wt |
Წონა |
|
|
|
3230 |
|
g |
Კონტური |
411F3 |
||||||
Ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
Თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.
EN
