MK(H)x300 MK300, სწრაფი გამორთული ტირისტორის მოდულები, ჰაერით გამხვილვა

VDRM, VRRM

Ტიპი და კონტური

600V

MKx300-06-405F3

MHx300-06-405F3

800V

MKx300-08-405F3

MHx300-08-405F3

1000 ვოლტი

MKx300-10-405F3

MHx300-10-405F3

1200 ვოლტი

MKx300-12-405F3

MHx300-12-405F3

1400V

MKx300-14-405F3

MHx300-14-405F3

1600V

MKx300-16-405F3

MHx300-16-405F3

1800V

MKx300-18-405F3

MHx300-18-405F3

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj(°C)

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IT(AV)

Საშუალო ჩართული მიმდინარე

180° ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz ერთ მხარეს გაგრილებული, Tc=55°C

125

300

Ა

IT(RMS)

RMS აქტიური მიმდინარე

471

Ა

Ირმ ირმ

Განმეორებითი პიკური დენი

vDRM-ზე VRRM-ზე

125

50

mA

ITSM

Სერჟი ჩართული მიმდინარე

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=60%VRRM

125

5.60

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

160

Ა ²s* 10 ³

VTO

Საფეხური ძაბვა

125

1.50

V

რტ

Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

0.75

mΩ

VTM

Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=900A

25

2.20

V

dv/dt

Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=67%VDRM

125

800

V/μS

di/dt

Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

Გეითის წყარო 1.5A

tr ≤0.5μs განმეორებითი

125

200

A/μS

tq

Სქემის კომუტირებული გამორთვის დრო

ITM=300A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs

125

20

40

μs

25

6

16

μs

IGT

Კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Კარების ტრიგერის ძაბვა

0.8

3.0

V

IH

Შენარჩუნების მიმდინარე

10

200

mA

VGD

Არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM= 67% VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.110

°C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.040

°C /W

VISO

Იზოლაციის ძაბვა

50Hz,R.M.S,t= 1წუთი,Iiso:1mA(MAX)

2500

V

FM

Ტერმინალის კავშირი ტორქი(M8)

10.0

12.0

N·მ

Მონტაჟის ტორქე(M6)

4.5

6.0

N·მ

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

°C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

125

°C

Wt

Წონა

1060

g

Კონტური

405F3