MFC90, შედუღების თირისტორის მართვის მოდული, ჰაერის გაგრილება

VDSM, VRSM

VDRM, VRRM

Ტიპი და კონტური

900V

800V

MFC90-08-224H3

1100V

1000 ვოლტი

MFC90-10-224H3

1300V

1200 ვოლტი

MFC90-12-224H3

1500V

1400V

MFC90-14-224H3

1700V

1600V

MFC90-16-224H3

1900V

1800V

MFC90-18-224H3

Სიმბოლო

Მახასიათებელი

Გამოცდის პირობები

Tj( ℃)

Ღირებულება

Ერთეული

Წუთი

Ტიპი

Მაქს.

IT(AV)

Საშუალო ჩართული მიმდინარე

180°ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz

Ერთმხრივი გაგრილება, Tc =85 ℃

125

90

A

IT(RMS)

RMS აქტიური მიმდინარე

125

141

A

Ირმ ირმ

Განმეორებითი პიკური დენი

vDRM-ზე VRRM-ზე

125

20

mA

ITSM

Სერჟი ჩართული მიმდინარე

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=60%VRRM

125

1.9

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

18.1

A²s*10 ³

VTO

Საფეხური ძაბვა

125

0.70

V

რტ

Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

3.01

mΩ

VTM

Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=270A

25

1.80

V

dv/dt

Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μS

di/dt

Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

Გეითის წყარო 1.5A

tr ≤0.5μs განმეორებითი

125

200

A/μS

IGT

Კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Კარების ტრიგერის ძაბვა

0.6

2.5

V

IH

Შენარჩუნების მიმდინარე

10

250

mA

VGD

Არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.28

。C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.15

。C /W

VISO

Იზოლაციის ძაბვა

50Hz,R.M.S,t= 1წუთი,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Თერმული კავშირი ტორქი (M5)

2.5

4.0

N·მ

Მონტაჟის ტორქე(M6)

4.5

6.0

N·მ

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

℃

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

125

℃

Wt

Წონა

100

გ

Კონტური

224H3