IGBT მოდული, GD1000HFA75N5HT Starpower

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

750

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

ICN

Განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

1000

A

IC

Კოლექციონერი Მიმდინარე T vj =175o C

680

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1360

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის გადაცემა ატიონ @ T F =75o C T vj =175o C

1086

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

750

V

IFN

Განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

1000

A

IF

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

680

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1360

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T vjop

Მუშაობის გადასასვლელი ტემპერატურა მუდმივი

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 წუთი

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=680A,V GE =15 ვოლტი, T vj =25o C

1.25

1.50

V

IC=680A,V GE =15 ვოლტი, T vj =150o C

1.35

IC=680A,V GE =15 ვოლტი, T vj =175o C

1.40

IC=1000A,V GE =15 ვოლტი, T vj =25o C

1.45

IC=1000A,V GE =15 ვოლტი, T vj =175o C

1.70

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC=9.60mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.5

7.0

V

IC=9.60mA ,V CE =V GE , T vj =175o C

3.5

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

1.0

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

72.3

nF

Coes

Გამოსავალი გამტარუნარიანობა

1.51

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.32

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V CE =400V, IC=680A, V GE =-10…+15V

4.10

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C=680A, Რ G=0.22Ω, LᲡ =16nH ,V GE =-10V/+15V,

T vj =25o C

196

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

50

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

407

n

t f

Შემოდგომის დრო

125

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

11.1

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

29.1

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C=680A, Რ G=0.22Ω, LᲡ =16nH ,V GE =-10V/+15V,

T vj =150o C

222

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

63

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

471

n

t f

Შემოდგომის დრო

178

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

19.7

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

37.4

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C=680A, Რ G=0.22Ω, LᲡ =16nH ,V GE =-10V/+15V,

T vj =175o C

224

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

68

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

490

n

t f

Შემოდგომის დრო

194

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

21.7

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

39.5

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤6μs,V GE =15 ვოლტი,

4000

A

T vj =25o C,V CC =450V, V CEM ≤750V

t Პ ≤3μs,V GE =15 ვოლტი,

T vj =175o C,V CC =450V, V CEM ≤750V

3300

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

IF =680A,V GE =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

IF =680A,V GE =0V,T vj =150o C

1.60

IF =680A,V GE =0V,T vj =175o C

1.55

IF =1000A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

IF =1000A,V GE =0V,T vj =175o C

1.75

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =400V, I F =680A,

-დი/დტ=15030ა/μs,V GE =-10V, LᲡ =16nH ,T vj =25o C

19.9

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

458

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

6.10

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =400V, I F =680A,

-დი/დტ=12360ა/μs,V GE =-10V, LᲡ =16nH ,T vj =150o C

29.7

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

504

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

9.70

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =400V, I F =680A,

-დი/დტ=11740ა/μs,V GE =-10V, LᲡ =16nH ,T vj =175o C

34.5

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

526

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

11.0

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ

Ნომინალური Წინააღმდეგობა

T C=0 o C

T C=150 o C

1000

1573

ω ω

T Cr

Ტემპერატურული კოეფიციენტი nt

0.38

%/K

T SH

Საკუთარი Გათბობა

T C=0 o C

Iმ =0.1...0.3mA

0.4

K/mW

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

5

nH

პ

Მაქსიმალური წნევა გაგრილების ცირკულაციაში კუტი

2.5

სველი

Რ თი-ი-ფ

Გადასასვლელი --დან -Გაგრილება Სითხე (perIGBT )Ჯუნქცია-კooling სითხეზე (D-ის მიხედვით იოდი) △V/ △t=8.0 dm 3/წუთი ,T F =65o C

0.080 0.115

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M5 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M5

5.4 5.4

6.6 6.6

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

220

g