IGCT,ასიმეტრიული IGCT მოწყობილობა,SC3.CRC 2200-45,CCRC ,უკუღმართი კონდუქტინგი

V _DRM

4500

V

Ის _TGQM

2200

Ა

Ის _TSM

20

kA

V Და

1.31

V

რ _T

0.373

mΩ

V _DClink

2800

V

სიმბოლო

参数名称

მინიმალური

ტიპიური

მაქსიმალური

单位

F

მჭიდრო ძალა

36

40

44

kN

D p

ზედაპირის დიამეტრი

-

85

-

მმ

H

მილ-შელფის სიმაღლე

-

26

-

მმ

მ

ხარისხი

-

2.8

-

კგ

D ს

ასვლის დისტანცია

33

-

-

მმ

D ა

გამონათქვამის დისტანცია

10

-

-

მმ

Ის

Გლტტ 长度

-

439

-

მმ

h

Გლტტ სიმაღლე

-

41

-

მმ

w

Გლტტ 宽度

-

174

-

მმ

სიმბოლო ნომერი

პარამეტრი ნომერი სახელი დასახელება

ხაზი ნაწილი

მაქსიმალური მინიმალური

ტიპიური ტიპი

მაქსიმალური დიდი

ერთეული მდე

V DRM

გამორთვის განმეორებითი პიკური ძაბვა

კარიბჭის ერთეული ჩართული , T VJ = 125°C, Ის D ≤ Ის DRM, t p = 10ms

-

-

4500

V

Ის DRM

გამორთვის განმეორებითი პიკური დენი

კარიბჭის ერთეული ჩართული , T VJ = 125°C, V D = V DRM, t p = 10ms

-

-

50

mA

V DClink

შუა დირქტული ძაბვა

კარიბჭის ერთეული ჩართული , 100FIT ზიანის მიღების საშუალო წრფივი წვდომის წნევა

-

-

2800

V

V RRM

უკუქცევითი ძაბვა

/

-

-

17

V

სიმბოლო ნომერი

პარამეტრი ნომერი სახელი დასახელება

ხაზი ნაწილი

მაქსიმალური მინიმალური

ტიპიური ტიპი

მაქსიმალური დიდი

ერთეული მდე

Ის T(AV) Ის T(RMS)

ჩართული მდგომარეობის საშუალო დენი

ჩართული მდგომარეობის RMS დენი

T C = 85°C, წარმოების ნახევარწვერა , ორმხრივი გაგრილება

-

-

-

-

1130

1800

Ა

Ა

Ის TSM

Ის 2t

ჩართული მდგომარეობის არ განმეორებითი აფეთქების დენი

დენის კვადრატული დროის პროდუქტი

T Vj =

125°C, წარმოების ნახევარწვერა , 10ms, V D = V R = 0

-

-

-

-

20

200

kA

104A2s

V TM

ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

T Vj =

125°C, Ის T = 2200A

-

-

2.24

V

V Და

რ T

ზღვრების ძაბვა

დახრილი წინააღმდეგობა

T Vj =

125°C, Ის T = 400…3000A

-

-

-

-

1.31

0.373

V

mΩ

სიმბოლო ნომერი

პარამეტრი ნომერი სახელი დასახელება

ხაზი ნაწილი

მაქსიმალური მინიმალური

ტიპიური ტიპი

მაქსიმალური დიდი

ერთეული მდე

d ის T /dt

ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის მაჩვენებელი

T Vj = 125°C, Ის T = 2200A, V D = 2800V,

f = 0..500Hz, Ის TM ≤ 2640A, DCL=SF4.FYX 1100-45

-

-

650

A/μS

t don

ვენთვნვნვნვნჟ თმვნ

-

3

μs

t donSF

ჩართვის უკუკავშირი დაგვიანების დრო

T Vj = 125°C, Ის T = 2200A, V D = 2800V,

CCL = 10μF, d ის /dt = V D/Li, RS = 0.4Ω,

-

-

7

μs

t რ

ანოდის ძაბვის დაცემის დრო

Ლ i = 3μH, Ლ CL = 0.3μH, DCL = SF4.FYX 1100-45

-

-

1

μs

Ე ზე

ერთჯერადი პულსური ჩართვის ენერგია

-

-

0.9

Ჯ

სიმბოლო ნომერი

პარამეტრი ნომერი სახელი დასახელება

ხაზი ნაწილი

მაქსიმალური მინიმალური

ტიპიური ტიპი

მაქსიმალური დიდი

ერთეული მდე

Ის TGQM

მაქსიმალური გამორთვის დენი

T VJ = 125°C, V Dm ≤ V DRM, V D = 2800V, Ლ CL ≤0.3μH, C CL = 10μF, Რ S = 0.4Ω, DCL = SF4.FYX 1100-45

-

-

2200

Ა

t doff

关断延迟时间

-

-

7

μs

t doffSF

გამორთვის უკუკავშირის დაგვიანების დრო

T Vj = 125°C, Ის TGQ = 2200A, V D = 2800V,

V Dm ≤ V DRM, C CL = 10μF, Რ S = 0.4Ω,

-

-

7

μs

t f

დასვენების დრო

Ლ i = 3μH, Ლ CL = 0.3μH, DCL = SF4.FYX 1100-45

-

-

1

μs

Ე გათიშული

ერთჯერადი პულსის გამორთვის ენერგია

-

-

12

Ჯ

სიმბოლო ნომერი

პარამეტრი ნომერი სახელი დასახელება

ხაზი ნაწილი

მაქსიმალური მინიმალური

ტიპიური ტიპი

მაქსიმალური დიდი

ერთეული მდე

Ის F ((AV)

Ის F (RMS )

საშუალო ელექტრო დენი

T C = 85°C , წარმოების ნახევარწვერა

-

-

405

Ა

正向方均根 ელექტრო ნაკადი

-

-

635

Ა

Ის FSM

Ის 2t

浪涌电流

დენის კვადრატული დროის პროდუქტი

t p = 10ms, T VJ = 125°C, V R = 0V

-

-

11

kA

-

-

60.5

104A2s

V F

ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

Ის F = 2200A, T VJ = 125°C

-

-

3.93

V

V (F0)

რ F

ზღვრების ძაბვა

დახრილი წინააღმდეგობა

T VJ = 125°C, Ის F = 400...3000A

-

-

2.32

V

-

-

0.735

mΩ

სიმბოლო ნომერი

პარამეტრი ნომერი სახელი დასახელება

ხაზი ნაწილი

მაქსიმალური მინიმალური

ტიპიური ტიპი

მაქსიმალური დიდი

ერთეული მდე

V FR

ოპერაციული წნევის აღდგენის სიმაღლე

d ის F/d t = 650A/μs, T VJ = 125°C

-

-

80

V

სიმბოლო ნომერი

პარამეტრი ნომერი სახელი დასახელება

ხაზი ნაწილი

მაქსიმალური მინიმალური

ტიპიური ტიპი

მაქსიმალური დიდი

ერთეული მდე

T Vj

სამუშაო结温范围

0

-

125

℃

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

/

0

-

60

℃

T AMB

გარემოს ტემპერატურის დიაპაზონი

0

-

50

℃

GCT Რ thJC GCT

结壳热阻

კონტაქტური თერმული წინააღმდეგობა

ორმხრივი გაგრილება

-

-

-

-

0.0126

0.0042

Კვ/ვ

Კვ/ვ

FRD Რ thJC FRD

结壳热阻

კონტაქტური თერმული წინააღმდეგობა

ორმხრივი გაგრილება

-

-

-

-

0.0260

0.0104

Კვ/ვ

Კვ/ვ