H150KPU, ფაზის კონტროლის თირისტორი

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj(°C )

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IT(AV)

Საშუალო ჩართული მიმდინარე

180° ნახევარი სინუსოიდური ტალღა 50Hz ორმხრივი გაგრილება

TC=70 °C

100

4200

Ა

VDRM VRRM

Განმეორებითი პიკი გამორთული ძაბვა განმეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა

tp=10ms

125

7300

8500

V

Ირმ ირმ

Განმეორებითი პიკური დენი

vDRM-ზე VRRM-ზე

100

800

mA

@7000V, DC

25

100

μA

ITSM

Სერჟი ჩართული მიმდინარე

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM

100

100

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

50000

103A2s

VTO

Საფეხური ძაბვა

100

1.56

V

რტ

Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

0.12

mΩ

VTM

Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=5000A, F=120kN

25

2.40

V

dv/dt

Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=0.67VDRM

100

2000

V/μS

di/dt

Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM= 67%VDRM,

Გეითის პულსი tr ≤0.5μs IGM=1.5A

100

600

A/μS

Კრრ

Აღდგენის გადასახადი

ITM=3000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

100

9200

µC

IGT

Კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA=12V, IA=1A

25

40

300

mA

Vgt

Კარების ტრიგერის ძაბვა

0.8

3.5

V

IH

Შენარჩუნების მიმდინარე

20

1000

mA

IL

Ჩაკეტვის მიმდინარე

1000

mA

VGD

Არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

100

0.3

V

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

180-ზე 。სინუსოიდური, ორმხრივი გაგრილება კლამპირების ძალა120kN

0.0020

。C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

0.0005

FM

Მონტაჟის ძალა

165

175

190

kN

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

100

°C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

140

°C

Wt

Წონა

4000

g

Კონტური

KT140cT