GD720HTA120P6HLT,IGBT Module,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I CN

Განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

720

Ა

I C

Კოლექტორის დენი @ T F =65 o C

600

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1440

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის გადაცემა ატიონ @ T F =75 o C T vj =175 o C

1204

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ვოლტა გენერალური საწარმოები

1200

V

I FN

Განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

720

Ა

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

600

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1440

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T vjop

Მუშაობის გადასასვლელი ტემპერატურა მუდმივი

10-იანებისათვის პერიოდში 30 წლის ასაკში, შემთხვევა მაქსიმუმ 3000-ჯერ სიცოცხლის განმავლობაში მე

-40-დან +150-მდე +150-დან +175-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

3000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

I F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5o C

1.95

V

I F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150 o C

1.95

I F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =175 o C

1.90

I F =720A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5o C

2.05

I F =720A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =175 o C

2.05

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =800V,I F =600A,

-di/dt=8281A/μs, L S =24n H, V Გენერალური საწარმოები =-8V, T vj =25 o C

44.3

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

346

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

16.2

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =800V,I F =600A,

-დი/დტ=6954A/μs, L S =24n H, V Გენერალური საწარმოები =-8V, T vj =150 o C

73.4

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

385

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

27.8

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =800V,I F =600A,

-დი/დტ=6679A/μs, L S =24n H, V Გენერალური საწარმოები =-8V, T vj =175 o C

80.7

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

392

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

30.7

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

R 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

Გადახრა of R 100

T C =100 o C ,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

Პ 25

Ენერგია

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

8

nH

R CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

0.75

mΩ

პ

Მაქსიმალური წნევა გაგრილების ცირკულაციაში კუტი

T საყრდენი პლატა <40 o C

T საყრდენი პლატა 40o C

(აბსოლუტური წნევა)

2.5 2.0

bar

R თი-ი-ფ

Გადასასვლელი -რომ -Გაგრილება Სითხე (perIGBT )Გამაგრილებელი სითხე (დი-ზე) ოდი) △ V/ △ t=10.0 dm 3/მნ ,T F =75 o C

0.072 0.104

0.083 0.120

Კვ/ვ

M

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M5 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მ4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m

G

Წონა of Მოდული

750

g