GD300HFX170C6SA,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Ის C

Კოლექტორის დენი @ T C =25o C @ T C =100o C

493

300

Ა

Ის CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

600

Ა

P D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

1829

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1700

V

Ის F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

300

Ა

Ის FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

600

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

Ის C =300A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.85

2.20

V

Ის C =300A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

2.25

Ის C =300A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.35

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Ის C =12.0mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Ის CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25o C

5.0

mA

Ის Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

2.5

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

36.1

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.88

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

2.83

μC

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =300A,

Რ Გონ =3.3Ω, Რ Გოფ =4.7Ω, Ლ Ს =66nH, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

265

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

94

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

565

n

t f

Შემოდგომის დრო

326

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

77.6

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

52.8

mJ

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =300A,

Რ Გონ =3.3Ω, Რ Გოფ =4.7Ω, Ლ Ს =66nH, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =125o C

302

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

104

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

631

n

t f

Შემოდგომის დრო

521

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

108

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

72.8

mJ

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =300A,

Რ Გონ =3.3Ω, Რ Გოფ =4.7Ω, Ლ Ს =66nH, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =150o C

313

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

108

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

645

n

t f

Შემოდგომის დრო

545

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

119

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

78.4

mJ

Ის SC

Ს.კ. მონაცემები

t P ≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C ,V CC =1000 ვოლტი, V CEM ≤1700V

1200

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

Ის F =300A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25o C

1.80

2.25

V

Ის F =300A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =125o C

1.95

Ის F =300A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =150o C

1.90

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =300A,

-di/dt=2650A/μs, V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი Ლ Ს =66nH ,T ჯ =25o C

56.3

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

228

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

38.4

mJ

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =300A,

-di⁄dt=2300A⁄μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი Ლ Ს =66nH ,T ჯ =125o C

89.6

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

262

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

60.2

mJ

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =300A,

-di/dt=2250A/μs, V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი Ლ Ს =66nH ,T ჯ =150o C

102

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

272

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

69.6

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

Გადახრა შემდეგი Რ 100

T C =100 o C ,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ძალა

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Ლ CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

1.10

mΩ

Რ thJC

Გადასასვლელი -და -Შემთხვევა (perIGBT ) Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.082 0.121

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.030 0.045 0.009

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

350

g