GD1200SGX170A3S,IGBT მოდული,High current igbt მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C @ T C =100 o C

2206

1200

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

2400

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 o C

8.77

Კვ

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1700

V

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

1200

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

2400

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =1200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 o C

1.85

2.20

V

I C =1200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 o C

2.25

I C =1200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 o C

2.35

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =48.0 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 o C

5.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

1.0

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

145

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

3.51

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

11.3

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =1200A, R G =1.0Ω,

V Გენერალური საწარმოები =-9/+15V,

L S =65 nH ,T ჯ =25 o C

440

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

112

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1200

n

t f

Შემოდგომის დრო

317

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

271

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

295

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =1200A, R G =1.0Ω,

V Გენერალური საწარმოები =-9/+15V,

L S =65 nH ,T ჯ =125 o C

542

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

153

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1657

n

t f

Შემოდგომის დრო

385

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

513

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

347

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =1200A, R G =1.0Ω,

V Გენერალური საწარმოები =-9/+15V,

L S =65 nH ,T ჯ =150 o C

547

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

165

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1695

n

t f

Შემოდგომის დრო

407

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

573

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

389

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 o C,V CC =1000 ვოლტი, V CEM ≤1700V

4800

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

I F =1200A,V Გენერალური საწარმოები =0V, t ჯ =25℃

1.80

2.25

V

I F =1200A,V Გენერალური საწარმოები =0V, t ჯ =125℃

1.90

I F =1200A,V Გენერალური საწარმოები =0V, t ჯ =150℃

1.95

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=10500A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-9V, L S =65nH,T ჯ =25℃

190

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

844

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

192

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=7050A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-9V, L S =65nH,T ჯ =125℃

327

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

1094

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

263

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=6330A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-9V, L S =65nH,T ჯ =150℃

368

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

1111

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

275

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

12

nH

R CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.19

mΩ

R thJC

Გადასასვლელი -რომ -Შემთხვევა (perIGBT ) Კვანძები (D-ზე) იოდი)

17.1 26.2

K/kW

R thCH

Შემთხვევა -რომ -Თბილსასუფთავე (perIGBT )Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

9.9 15.2 6.0

K/kW

M

Ელექტროენერგიის ტერმინალი Შრიფტი:M4 Ელექტროენერგიის ტერმინალი Ბოლტი:M8 Დამონტაჟების შრიფტი:M6

1.8 8.0 4.25

2.1 10.0 5.75

N.m

G

Წონა of Მოდული

1050

g