Y50KFE,非対称高速ターンオフサイリスタ

シンボル

特徴

試験条件

Tj(℃ )

価値

ユニット

ほんの少し

タイプ

マックス

IT(AV)

平均オン状態電流

180違う 半正弦波 50Hz 両面冷却、

TC=55℃

125

1494

A について

TC=70℃

1243

VDRM

繰り返しピークオフステート電圧

tp=10ms

125

1200

2000

V

VRRM

繰り返しのピーク逆電圧

1000

1800

Idrm Irrm

繰り返しピーク電流

vDRMおよびVRRMで

125

80

mA

ITSM

サージオン状態電流

10ms半正弦波 VR=0.6VRRM

125

17

kA

ポイント

融解調整のためのI2t

1445

A2s* 103

VTO

限界電圧

125

1.57

V

ロープ

オン状態スロープ抵抗

0.21

mΩ

VTM

ピークオン状態電圧

ITM=3000A,F=24kN

15μs≤tq≤28μs

25

2.50

V

29μs≤tq≤55μs

2.10

V

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

オン状態の電流の上昇の臨界速度

VDM=1600Aで 67%VDRM

ゲートパルス tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

リカバリーチャージ

ITM= 1000A,tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V

125

750

微分

tq

回路コミュテーションターンオフ時間

ITM= 1000A,tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs

125

15

55

μs

IGT

ゲートトリガ電流

VA= 12V, IA= 1A

25

40

300

mA

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.9

3.0

V

IH

ホールディング電流

20

500

mA

ラング

ラッチ電流

1000

mA

VGD

非トリガゲート電圧

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

ジャンクションからケースへの熱抵抗

1800サイン波で、両面冷却、クランプ力 24kN

0.020

。C /W

Rth(c-h)

熱吸収器の熱抵抗ケース

0.005

Fm

取り付け力

19

26

kN

Tvj

接合温度

-40

125

°C

ターゲット・ストーブ

保存温度

-40

140

°C

ワット

重量

440

g

概要

KT50cT