Y45KKD,高周波サイリスタ

シンボル

特徴

試験条件

Tj( 。C)

価値

ユニット

ほんの少し

タイプ

マックス

IT (エーブイ )

平均オン状態電流

180。半正弦波 50Hz 両面冷却

TC=55 。C

125

1010

A について

VDRM VRRM

繰り返す ピークオフ状態電圧 繰り返す ピーク逆電圧

tp=10ms

125

1200

1600

V

IDRM IRRM

繰り返す ピークオフ状態電流 繰り返す ピーク逆電流

vDRMおよびVRRMで

125

50

mA

ITSM

サージオン状態電流

10ms 半正弦波 波 VR =0.6 VRRM

125

11

kA

わかった 2t

わかった 2t for 融合 調整

605

A について 2s*10 3

VTO

限界電圧

125

1.70

V

ロープ

オン状態スロープ抵抗

0.48

mΩ

VTM

ピークオン状態電圧

ITM=1800A, F=21kN

25

3.20

V

dv/dt

臨界上昇率 オフ状態の 圧力は

VDM =0.67 VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

オン状態の 自己 臨界上昇率 現在

VDM = 67% VDRM オー 1600A,

ゲートパルスtr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

リカバリーチャージ

ITM=1000A, tp=4000µ s, di/dt=-20A/µs, VR=100V

125

83

100

µC

tq

回路コミュテーションターンオフ時間

ITM=1000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=- 20A/µs

125

18

36

µs

IGT

ゲートトリガ電流

VA=12V, IA=1A

25

30

250

mA

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.8

3.0

V

わかった H

ホールディング電流

20

400

mA

わかった L

ラッチ電流

500

mA

VGD

非トリガゲート電圧

VDM =67% VDRM

125

0.3

V

Rth (j-c)

熱的 抵抗 接合からケースまで

At 1800 サイン、 両面冷却 クランプ力 21kN

0.024

。C /W

Rth (c-h)

熱的 抵抗 ケースから ヒートシンク

0.006

Fm

取り付け力

18

25

kN

Tvj

接合温度

-40

125

。C

ターゲット・ストーブ

保存温度

-40

140

。C

ワット

重量

3800

g

概要

KT44cT