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わかった T(AV) |
4890A |
V DRM |
2000V~ 3000V |
V RRM |
1000V~ 2500V |
t q |
25~100µs |
特徴
典型的な用途
|
シンボル |
特徴 |
試験条件 |
Tj(℃ ) |
価値 |
ユニット |
||||
ほんの少し |
タイプ |
マックス |
|||||||
IT(AV) |
平均オン状態電流 |
180。半正弦波 50Hz 両面冷却 |
TC=55℃ |
125 |
|
|
4890 |
A |
|
Idrm Irrm |
繰り返しピーク電流 |
at VDRM tp= 10ms at VRRM tp= 10ms |
125 |
|
|
250 |
mA |
||
ITSM |
サージオン状態電流 |
10ms半正弦波 VR=0.6VRRM |
125 |
|
|
63 |
kA |
||
ポイント |
融解調整のためのI2t |
|
|
19845 |
103A2s |
||||
VTO |
限界電圧 |
|
125 |
|
|
1.30 |
V |
||
ロープ |
オン状態スロープ抵抗 |
|
|
0.13 |
mΩ |
||||
|
VTM |
ピークオン状態電圧 |
ITM=5000A, F=90kN |
25μs≤tq≤45μs |
25 |
|
|
2.50 |
V |
|
46μs≤tq≤75μs |
|
|
1.80 |
V |
|||||
76μs≤tq≤100μs |
|
|
1.60 |
V |
|||||
dv/dt |
オフステート電圧の急激な上昇率 |
VDM=0.67VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
||
di/dt |
オン状態電流の臨界立ち上がり率（非反復） |
VDM= 67%VDRM, ゲートパルス tr ≤0.5μs IGM= 1.5A |
125 |
|
|
1200 |
A/μs |
||
Qrr |
リカバリーチャージ |
ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR=100V |
125 |
|
2100 |
|
微分 |
||
tq |
回路コミュテーションターンオフ時間 |
ITM=2000A, tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs |
125 |
25 |
|
100 |
μs |
||
IGT |
ゲートトリガ電流 |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
40 |
|
250 |
mA |
||
Vgt |
ゲートトリガ電圧 |
0.9 |
|
2.5 |
V |
||||
IH |
ホールディング電流 |
20 |
|
1000 |
mA |
||||
ラング |
ラッチ電流 |
|
|
1500 |
mA |
||||
VGD |
非トリガゲート電圧 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.3 |
V |
||
Rth(j-c) |
ジャンクションからケースへの熱抵抗 |
180で 違う サイン波、両面冷却 クランプ力 90kN |
|
|
|
0.0050 |
。C /W |
||
Rth(c-h) |
ケースからヒートシンクまでの熱抵抗 |
|
|
|
0.0015 |
||||
Fm |
取り付け力 |
|
|
81 |
|
108 |
kN |
||
Tvj |
接合温度 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
||
ターゲット・ストーブ |
保存温度 |
|
|
-40 |
|
140 |
°C |
||
ワット |
重量 |
|
|
|
2000/ 2500 |
|
g |
||
概要 |
KT100cT/ KT100dT |
||||||||
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