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ハーフブリッジIGBTモジュール
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ハーフブリッジIGBTモジュール
V CES |
|
1700 |
V |
V 衛星 |
タイプする |
1.45 |
V |
わかった C |
マックス。 |
1800 |
A |
わかった C (ロープ ) |
マックス。 |
3600 |
A |
典型的な用途
特徴
絶対値 最大 レーティング
シンボル |
パラメータ |
試験条件 |
価値 |
ユニット |
V CES |
集合器-放出器の電圧 |
V GE = 0V、 T C = 25 °C |
1700 |
V |
V 総エネルギー |
ゲート・エミッター・ボルト |
T C = 25 °C |
± 20 |
V |
わかった C |
コレクタ-エミッタ電流 |
T C = 100 °C、 T vjmax = 175°C |
1800 |
A |
わかった C(PK) |
ピークコレクタ電流 |
t P = 1ms |
3600 |
A |
P マックス |
最大トランジスタ電力損失 |
T vj = 175°C、 T C = 100 °C |
5.3 |
kW |
わかった 2t |
ダイオード わかった 2t |
V R = 0V、 t P = 10ms T vj = 175 °C |
320 |
kA2s |
|
V 孤立 |
絶縁電圧 – モジュールごと |
（端子をベースプレートに接続）、交流実効値、1分間、50Hz T C = 25 °C |
4 |
kV |
|
Q 病状 |
部分放電 – モジュールごと |
IEC1287 について V 1 = 1800V V 2 = 1300V、50Hz実効値 |
10 |
pC |
熱的 & Mechanical データ
シンボル |
説明 |
価値 |
ユニット |
|
漏れ距離 |
ターミナルからヒートシンクへ |
44.0 |
mm |
ターミナルからターミナルへ |
33.0 |
mm |
|
|
クリアランス |
ターミナルからヒートシンクへ |
33.0 |
mm |
ターミナルからターミナルへ |
26.0 |
mm |
|
CTI (比較追跡指数) |
|
600 |
多様なパッケージ外形を取り揃えており、さまざまな応用分野における外形要件を満たすことができます。
よくある質問：
はい、各商品について原産地証明書を発行いたします。 注文。
支払い方法は銀行振込（T/T）で承ります。契約締結後、契約金として30％の前払いをいただき、出荷前に残金全額をお支払いいただきます。
FCA、FOB、CIF、DDPなどの国際貿易規則に準拠した納入条件に対応可能です。
もちろんです。大規模な導入に先立ち、サンプルによる試験を行うことは必須のステップです。当社はこのアプローチを全面的に支持・推奨しており、お客様の製品評価試験を積極的に支援し、必要なサンプルを確実にご提供いたします。
承知しました！お客様のニーズに最も適した製品をご提案するため、以下の情報をご提供ください：
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