簡単な紹介
速速切断するチリスター Mo ツーリング (MK) × 300 MK300 30 0A .空冷 冷却、TECHSEMによって製造されました。
VRRM,VDRM |
タイプとアウトライン |
|
600V |
MKx300-06-415F3 |
MHx300-06-415F3 |
800V |
MKx300-08-415F3 |
MHx300-08-415F3 |
1000V |
MKx300-10-415F3 |
MHx300-10-415F3 |
1200V |
MKx300-12-415F3 |
MHx300-12-415F3 |
1400V |
MKx300-14-415F3 |
MHx300-14-415F3 |
1600V |
MKx300-16-415F3 |
MHx300-16-415F3 |
1800V |
MKx300-18-415F3 |
MHx300-18-415F3 |
1800V |
MK300-18-415F3G |
|
MKxは任意のタイプを表します MKC、 MKA、 MKK
MHxは任意のタイプを表します MHC、 MHA、 MHK
特徴 :
典型的な用途
シンボル |
特徴 |
試験条件 |
Tj( °C ) |
価値 |
ユニット |
|||
ほんの少し |
タイプ |
マックス |
||||||
IT(AV) |
平均オン状態電流 |
180。半正弦波50Hz片側冷却、 |
TC=85 °C |
125 |
|
|
300 |
A について |
IT(RMS) |
RMSオン状態電流 |
|
|
471 |
A について |
|||
Idrm Irrm |
繰り返しピーク電流 |
vDRMおよびVRRMで |
125 |
|
|
80 |
mA |
|
ITSM |
サージオン状態電流 |
10ms半正弦波 VR=60%VRRM |
125 |
|
|
7.30 |
kA |
|
ポイント |
融解調整のためのI2t |
|
|
266 |
103A について 2s |
|||
VTO |
限界電圧 |
|
125 |
|
|
1.36 |
V |
|
ロープ |
オン状態スロープ抵抗 |
|
|
0.38 |
mΩ |
|||
VTM |
ピークオン状態電圧 |
ITM=900A |
25 |
|
|
2.20 |
V |
|
dv/dt |
オフステート電圧の急激な上昇率 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
800 |
V/μs |
|
di/dt |
オン状態の電流の上昇の臨界速度 |
ゲートソース 1.5A tr ≤0.5μs 繰り返し |
125 |
|
|
200 |
A/μs |
|
tq |
回路コミュテーションターンオフ時間 |
ITM=300A, tp=4000µs,VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs |
125 |
20 |
|
40 |
µs |
|
IGT |
ゲートトリガ電流 |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
30 |
|
200 |
mA |
|
Vgt |
ゲートトリガ電圧 |
1.0 |
|
3.0 |
V |
|||
IH |
ホールディング電流 |
20 |
|
200 |
mA |
|||
ラング |
ラッチ電流 |
|
|
1000 |
mA |
|||
VGD |
非トリガゲート電圧 |
VDM= 67%VDRM |
125 |
|
|
0.2 |
V |
|
Rth(j-c) |
ジャンクションからケースへの熱抵抗 |
チップごとに単側冷却 |
|
|
|
0.080 |
。C/W |
|
Rth(c-h) |
ケースからヒートシンクまでの熱抵抗 |
チップごとに単側冷却 |
|
|
|
0.040 |
。C/W |
|
ヴィソ |
絶縁電圧 |
50Hz,R.M.S,t= 1分,Iiso:1mA(MAX) |
|
2500 |
|
|
V |
|
Fm |
端子接続トルク(M10) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
N·m |
|
取り付けトルク(M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
||
Tvj |
接合温度 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
|
ターゲット・ストーブ |
保存温度 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
|
ワット |
重量 |
|
|
|
1260 |
|
g |
|
概要 |
415F3 |
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