Hōmupeーji / 製品 / IGBTモジュール / IGBTモジュール 1700V
主要パラメータ：
Vces = 1700V
1700V 300A、VCE(sat) = 1.95V＠25℃
IC = 300A
ICRM = 600A
主要な特徴:
典型的な用途:
| シンボルで覆われています | 試験条件 | バリュー | ユニット |
| 総額 | Tj=25°C | 1700 | V |
| 集積回路 | TC=100°C ，Tjmax=175°C | 300 | A |
| ICRM | tp=1ms | 600 | A |
| Ptot | TC=25 ℃、Tvjmax=175 ℃ | 4000 | W について |
| VGES | -- | ±20 | V |
IGBT、電気的パラメータ
| シンボル | 試験条件 | ほんの少し | 典型的な | マックス | ユニット | |
| VCEsat | IC = 300A ，VGE=15V ，Tj=25°C | -- | 1.95 | 2.35 | V | |
| IC = 300A ，VGE=15V ，Tj=125°C | -- | 2.35 | -- | |||
| IC = 300A ，VGE=15V ，Tj=150°C | -- | 2.4 | -- | |||
| VGEth | IC = 20mA ，VGE = VCE ，Tj=25°C | 5.4 | 6 | 6.6 | V | |
| ICES | VCE＝1700V、VGE＝0V、Tj＝25°C | -- | -- | 1 | mA | |
| VCE=1700V、VGE=0V、Tj=125°C | -- | -- | 20 | mA | ||
| VCE＝1700V、VGE＝0V、Tj＝150°C | -- | -- | 30 | mA | ||
| ゲノム | VCE＝0V、VGE＝±20V、Tj＝25°C | -- | -- | 500 | nA | |
| 司令部 | VGE＝15V～−15V | -- | 1.8 | -- | µC | |
| RGint について | Tj=25°C | -- | 2.1 | -- | ω | |
| サイエス | f＝100kHz、VCE＝25V、VGE＝0V、Tj＝25°C | -- | 44 | -- | ロープ | |
| クレス | -- | 0.3 | -- | |||
| オン (オン) | IC = 300A、 | Tj=25°C | -- | 421 | -- | nS |
| VCE=900V、 | Tj=125°C | -- | 430 | -- | ||
| VGE=15V/-15V、 | Tj=150°C | -- | 430 | -- | ||
| tr | Rgon = 2.4Ω、 | Tj=25°C | -- | 279 | -- | nS |
| Rgoff = 2.4Ω、 | Tj=125°C | -- | 286 | -- | ||
| di/dt = 4000A/μs（Tj = 150°C） | Tj=150°C | -- | 286 | -- | ||
| 消して | dv/dt = 4750V/μs（Tj = 150°C） | Tj=25°C | -- | 510 | -- | nS |
| 誘導性負荷 | Tj=125°C | -- | 580 | -- | ||
| Tj=150°C | -- | 594 | -- | |||
| tF | Tj=25°C | -- | 446 | -- | nS | |
| ）Tj＝125°C | -- | 558 | -- | |||
| ）Tj=150°C | -- | 598 | -- | |||
| エオン | Tj=25°C | -- | 72.6 | -- | mJ | |
| Tj=125°C | -- | 89.5 | -- | |||
| Tj=150°C | -- | 97.4 | -- | |||
| オーフ | Tj=25°C | -- | 77.1 | -- | mJ | |
| Tj=125°C | -- | 89.1 | -- | |||
| Tj=150°C | -- | 92.8 | -- | |||
| 短絡電流 | VGE≤15V、 | Tj=125°C | -- | 2200 | -- | A |
| VCC＝1200V、 | ||||||
| tp≤8μs | ||||||
| RthJC | 各IGBTごと | -- | -- | 82.5 | 電力量 | |
| バイバイ | -- | -40 | 150 | ℃ | ||
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