GD400SGY120C2S、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

収集家 現在の @ T C=25o C

@ T C= 100o C

630

400

A

ICm

パルス 収集家 現在の t p =1ms

800

A

PD

最大の 電力 散熱 @ T j =175o C

2083

W

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

V

IF

ダイオード 連続前流

400

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

800

A

シンボル

説明

価値

単位

T jmax

交差点最大温度 温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40 ～ +150

o C

T STG

保管温度範囲

-40 ～ +125

o C

V ISO

分離 電圧 RMS f=50 について Hz ポイントは 分

4000

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V CE (衛星 )

収集機から発信機へ

飽和電圧

IC=400A, V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=400A, V 遺伝子組み換え =15V T j =125o C

1.95

IC=400A, V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C

2.00

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC= 10.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え ,T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

収集器の切断

現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25o C

5.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V

T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗

1.9

ω

Cies

入力容量

V CE =25V,f=1 MHz ,

V 遺伝子組み換え =0V

41.4

ロープ

Cres

逆転移転

容量

1.16

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- 15V+15V

3.11

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V IC=400A, バー G=2.0Ω

V 遺伝子組み換え =±15V T j =25o C

257

nS

t バー

昇る時間

96

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

628

nS

t f

秋の時間

103

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

23.5

mJ

Eオフ

切断する

損失

34.0

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V IC=400A, バー G=2.0Ω

V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125o C

268

nS

t バー

昇る時間

107

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

659

nS

t f

秋の時間

144

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

35.3

mJ

Eオフ

切断する

損失

51.5

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V IC=400A, バー G=2.0Ω

V 遺伝子組み換え =±15V T j = 150o C

278

nS

t バー

昇る時間

118

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

680

nS

t f

秋の時間

155

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

38.5

mJ

Eオフ

切断する

損失

56.7

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T j =150o C,V CC =900V V 単数 ≤1200V

1600

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き

電圧

IF =400A, V 遺伝子組み換え =0V T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =400A, V 遺伝子組み換え =0V T j = 125o C

1.85

IF =400A, V 遺伝子組み換え =0V T j = 150o C

1.85

Qバー

回収された電荷

V バー =600V IF =400A,

—ディ /dt =5000A/μs V 遺伝子組み換え =- 15V T j =25o C

38.0

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

285

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

19

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V IF =400A,

—ディ /dt =5000A/μs V 遺伝子組み換え =- 15V T j = 125o C

66.5

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

380

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

36.6

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V IF =400A,

—ディ /dt =5000A/μs V 遺伝子組み換え =- 15V T j = 150o C

76.0

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

399

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

41.8

mJ

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

20

nH

バー CC ’+ロープ ’

モジュール鉛抵抗,ターミナル チップに

0.18

mΩ

バー thJC

接合 —～ —事例 (平均 IGBT )

接合 —～ —事例 (平均 ダイオード )

0.072

0.095

総量

バー thCH

事例 —～ —熱シンク (平均 IGBT )

事例 —～ —熱シンク (平均 ダイオード )

ケースからヒートシンクへの接続 (モジュールごと)

0.018

0.023

0.010

総量

分

端末接続トーク ネジ M6 設置方法 扭力 , ネジ 分 6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M<br>

G

重量（ モジュール

300

g