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H76KPU,位相制御サイリスタ

部分番号 H76KPU-KT60dT

Brand:
テクセム
Spu:
H76KPU-KT60dT
Appurtenance:

製品パンフレット:ダウンロード

  • はじめに
  • 概要:
はじめに

IT(AV)

1000A について

VDRM,VRRM 

8000V

8500V

特徴

  • 中心増幅ゲート
  • セラミック絶縁体付き金属ケース
  • 低いオン状態およびスイッチング損失

典型的な用途

  • ACコントローラー
  • DCおよびACモーター制御
  • 制御整流器

 

シンボル

 

特徴

 

試験条件

Tj(℃)

価値

 

ユニット

ほんの少し

タイプ

マックス

 

IT(AV)

平均オン状態電流

180違う半正弦波 50Hz 両面冷却

 

TC=70°C

 

115

 

 

 

1000

 

A について

Idrm Irrm

繰り返しピーク電流

at VDRM tp= 10ms at VRRM tp= 10ms

115

 

 

600

mA

ITSM

サージオン状態電流

10ms半正弦波 VR=0.6VRRM

 

115

 

 

10.5

kA

ポイント

融解調整のためのI2t

 

 

551

103A2s

VTO

限界電圧

 

 

115

 

 

1.38

v

ロープ

オン状態スロープ抵抗

 

 

0.90

VTM

ピークオン状態電圧

ITM= 1500A,F=32kN

25

 

 

2.80

v

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=0.67VDRM

115

 

 

2000

V/μs

di/dt

オン状態の電流の上昇の臨界速度

VDM=67%VDRM、

ゲートパルス tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

115

 

 

200

A/μs

Qrr

リカバリーチャージ

ITM=2000A,tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR=50V

115

 

3800

 

微分

IGT

ゲートトリガ電流

 

VA= 12V, IA= 1A

 

25

40

 

300

mA

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.8

 

3.0

v

IH

ホールディング電流

25

 

200

mA

VGD

非トリガゲート電圧

VDM=67%VDRM

115

 

 

0.3

v

Rth(j-c)

ジャンクションからケースへの熱抵抗

両面冷却 クランプ力 32kN

 

 

 

0.011

 

°C/W

Rth(c-h)

ケースからヒートシンクまでの熱抵抗

 

 

 

0.003

Fm

取り付け力

 

 

27

32

34

KN

Tvj

接合温度

 

 

-40

 

115

°C

ターゲット・ストーブ

保存温度

 

 

-40

 

140

°C

ワット

重量

 

 

 

1140

 

g

概要

KT60dT

 

概要:

H76KPU-2.png

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