IT(AV) | 1000A について |
VDRM,VRRM | 8000V 8500V |
特徴:
典型的な用途:
シンボル |
特徴 |
試験条件 | Tj(℃) | 価値 |
ユニット | |||
ほんの少し | タイプ | マックス | ||||||
IT(AV) | 平均オン状態電流 | 180違う半正弦波 50Hz 両面冷却 |
TC=70°C |
115 |
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|
1000 |
A について |
Idrm Irrm | 繰り返しピーク電流 | at VDRM tp= 10ms at VRRM tp= 10ms | 115 |
|
| 600 | mA | |
ITSM | サージオン状態電流 | 10ms半正弦波 VR=0.6VRRM |
115 |
|
| 10.5 | kA | |
ポイント | 融解調整のためのI2t |
|
| 551 | 103A2s | |||
VTO | 限界電圧 |
|
115 |
|
| 1.38 | v | |
ロープ | オン状態スロープ抵抗 |
|
| 0.90 | mΩ | |||
VTM | ピークオン状態電圧 | ITM= 1500A,F=32kN | 25 |
|
| 2.80 | v | |
dv/dt | オフステート電圧の急激な上昇率 | VDM=0.67VDRM | 115 |
|
| 2000 | V/μs | |
di/dt | オン状態の電流の上昇の臨界速度 | VDM=67%VDRM、 ゲートパルス tr ≤0.5μs IGM= 1.5A | 115 |
|
| 200 | A/μs | |
Qrr | リカバリーチャージ | ITM=2000A,tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR=50V | 115 |
| 3800 |
| 微分 | |
IGT | ゲートトリガ電流 |
VA= 12V, IA= 1A |
25 | 40 |
| 300 | mA | |
Vgt | ゲートトリガ電圧 | 0.8 |
| 3.0 | v | |||
IH | ホールディング電流 | 25 |
| 200 | mA | |||
VGD | 非トリガゲート電圧 | VDM=67%VDRM | 115 |
|
| 0.3 | v | |
Rth(j-c) | ジャンクションからケースへの熱抵抗 | 両面冷却 クランプ力 32kN |
|
|
| 0.011 |
°C/W | |
Rth(c-h) | ケースからヒートシンクまでの熱抵抗 |
|
|
| 0.003 | |||
Fm | 取り付け力 |
|
| 27 | 32 | 34 | KN | |
Tvj | 接合温度 |
|
| -40 |
| 115 | °C | |
ターゲット・ストーブ | 保存温度 |
|
| -40 |
| 140 | °C | |
ワット | 重量 |
|
|
| 1140 |
| g | |
概要 | KT60dT |
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