IGBTチップ

4500V 50A IGBT チップ高圧IGBT チップ超低損失薄型IGBTチップ高耐久性SPT+設計広い安全動作領域絶縁被膜：窒化物＋ポリイミド

4500V 50A

Brand:

Spu:

DG50P45K1

紹介

紹介

■特長

超低損失の薄型IGBTダイ
高耐久性SPT+設計
大規模SOA
表面保護膜：窒化膜＋ポリイミド

■ 労働力 最大 定格値

パラメータ	シンボル	条件	価値		ユニット
パラメータ	シンボル	条件	ほんの少し	マックス	ユニット
集合器-放出器の電圧	総額	VGE = 0 V		4500	V
DCコレクタ電流	集積回路			631)	A
ピークコレクタ電流	ICM	Tvjmaxによる制限		100	A
ゲート・エミッター・ボルト	VGES		-20	+20	V
IGBT 短絡 SOA	tpsc	VCC = 3400 V、VCEM ≤ 4500 V、VGE ≤ 15 V、Tvj ≤ 125 °C		10	μs
接合温度	Tvj		-40	125	°C

■ 労働力 IGBT 特性値

パラメータ	シンボル	条件		価値			ユニット
パラメータ	シンボル	条件		分。	タイプする	マックス。	ユニット
コレクタ-エミッタ破壊電圧	特別特別特別特別特別	VGE = 0 V、IC = 1 mA、Tvj = 25 °C		4500			V
コレクタ-エミッタ飽和電圧	衛星の VCE (衛星)	IC = 63 A、VGE = 15 V	Tvj = 25 °C		2.70	3.05	V
コレクタ-エミッタ飽和電圧	衛星の VCE (衛星)	IC = 63 A、VGE = 15 V	Tvj = 125 °C		3.35	3.85	V
コレクタ-エミッタカットオフ電流	ICES	VCE = 4500 V、VGE = 0 V	Tvj = 25 °C			100	µA
コレクタ-エミッタカットオフ電流	ICES	VCE = 4500 V、VGE = 0 V	Tvj = 125 °C		1500		µA
ゲート-エミッタリーク電流	ゲノム	VCE = 0 V、VGE = ±20 V、Tvj = 125 °C		-500		500	nA
ゲート-エミッタ閾値電圧	総額は	IC = 10 mA、VCE = VGE、Tvj = 25 °C		6.7	7.2	7.7	V
ゲートチャージ	司令部	IC = 63 A、VCE = 2800 V、VGE = -15 V ~ 15 V			520		nC
入力容量	サイエス	VCE = 25 V、VGE = 0 V、f = 1 MHz、Tvj = 25 °C			6.46		ロープ
輸出容量	コース				0.46		ロープ
逆転移容量	クレス				0.17		ロープ
内部ゲート抵抗	RGint について				5		ω

IGBTダイカタログ

豊富な製品ラインナップは、顧客のさまざまな電圧レベルにおけるIGBTチップの需要に応えます。
顧客は8インチと12インチのウエハから選択可能で、コスト削減を効果的に支援します。

IGBT チップカタログ

アイテム番号	S p ec		テクノロジー	バンド
アイテム番号	圧力は	C 電流	テクノロジー	バンド
10	4500V	50A	Ep T -FS
	3300V	62.5a	Ep T -FS
	1700V	75A	トレンチ-FS
		100A	トレンチ-FS
		150A	トレンチ-FS
		200A	トレンチ-FS
	1200V	100A	トレンチ-FS
		税金	トレンチ-FS
		150A	トレンチ-FS
		200A	トレンチ-FS
		機体	トレンチ-FS
		300A	トレンチ-FS
	950V	100A	トレンチ-FS
	950V	200A	トレンチ-FS
	750V	200A	トレンチ-FS
	750V	315a	トレンチ-FS
	650V	75A	トレンチ-FS

工場

最新の自動化工場により、当社のすべての性能指標が非常に一貫しており、各製品のパラメーターの差異を可能な限り最小限に抑えることができます。製品これは製品の信頼性と一貫性を保証するだけでなく、顧客の設備が安全かつ確実に運転されるための重要な保証にもなっています。

実験室

当社には整備された試験用ラボがあり、製品の品質を厳しく管理しています。これにより、顧客に納入する製品の合格率が100％になることを確実にしています。

生産能力

メーカーの強い総合的な実力と十分な生産能力により、すべての注文の納期を確実に守ることができます。

応用

当社のIGBTチップは、鉄道輸送、送電、太陽光発電、エネルギー貯蔵、誘導加熱装置、溶接機、自動制御などの産業分野で使用される電気設備のIGBTモジュール製造における要求仕様を満たしています。

幅広い産業用途において、当社IGBTチップの品質は十分に実証されており、顧客から高い評価と認可をいただいています。

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当社ユーザー

当社のユーザーはさまざまな産業分野にまたがっています。

当社を選ぶ理由

B について北京World E Toテクノロジー株式会社は、中国におけるIGBTモジュール、IGBTディスクリート、IGBTチップ、ADC／DAC、サイリスタなどの半導体製品の主要サプライヤーです。CRRC、Starpower、Techsem NARIのブランド製品の正式代理店として主に活動しており、輸出入資格とこの業界での11年間の経験を有しています。ロシア、UAE、その他のヨーロッパ地域に輸出しています。
私たちは製造業者の選定、専門技術チーム、製品品質管理において厳しい基準を設けており、鉄道交通、電力産業、電気自動車、モータードライブインバータ、周波数変換装置などの分野で顧客プロジェクトが円滑に運営されることを保証しています。

一方、顧客の特別なパラメーター要件に応じて、さまざまなサイリスタおよび電源アセンブリをカスタマイズするサポートを行うことも、当社の契約製造のもう一つの重要な要素および強みです。