位相制御サイリスタ

IT(AV)

350a

VDRM,VRRM

7500V   8000V

8500V

ほら

シンボル

ほら

特徴

ほら

試験条件

ほら

Tj(°C) について

価値

ほら

ユニット

ポイント

タイプ

最大

IT(AV)

平均オン状態電流

180違う半正弦波 50Hz

両面冷却 TC=70°C

125

ほら

ほら

300

a について

VDRM VRRM

繰り返しピークオフ状態電圧 繰り返しピーク逆電圧

tp=10ms

125

7300

ほら

8500

v について

Idrm Irrm

繰り返しピーク電流

@VDRM @VRRM

125

ほら

ほら

200

ママ

ITSM

サージオン状態電流

10ms半正弦波 VR=0.6VRRM

125

ほら

ほら

4.0

カ

ポイント

融解調整のためのI2t

ほら

ほら

80

a について²s* 10³

VTO

限界電圧

ほら

ほら

125

ほら

ほら

2.02

v について

ロープ

導通状態の傾斜   抵抗

ほら

ほら

2.19

mΩ

VTM

ピークオン状態電圧

ITM=500A,F=15kN

25

ほら

ほら

3.00

v について

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=0.67VDRM

125

ほら

ほら

2000

V/μs

di/dt

オン状態の電流の上昇の臨界速度

VDM= 67%VDRM,

ゲートパルス tr ≤0.5μs   IGM= 1.5A

ほら

125

ほら

ほら

ほら

100

ほら

A/μs

Qrr

リカバリーチャージ

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR= 100V

125

ほら

1500

ほら

微分

IGT

ゲートトリガ電流

ほら

ほら

VA= 12V, IA= 1A

ほら

ほら

25

40

ほら

300

ママ

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.8

ほら

3.0

v について

IH

ホールディング電流

20

ほら

200

ママ

について

ラッチ電流

ほら

ほら

500

ママ

VGD

非トリガゲート電圧

VDM=0.67VDRM

125

ほら

ほら

0.3

v について

Rth(j-c)

ジャンクションからケースへの熱抵抗

1800サイン波で、両面冷却 クランプ力15kN

ほら

ほら

ほら

0.045

°C /W

Rth(c-h)

ケースからヒートシンクまでの熱抵抗

ほら

ほら

ほら

0.008

°C /W

fm

取り付け力

ほら

ほら

10

15

20

kn

Tvj

接合温度

ほら

ほら

-40

ほら

125

°C

ターゲット・ストーブ

保存温度

ほら

ほら

-40

ほら

140

°C

wt

体重

ほら

ほら

ほら

300

ほら

g

概要

KT33dT