IDG75X12T2、IGBTディスクリート、STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C @ T C=100o C

150

75

A

ICm

パルス 収集家 現在の t p 限定的 著者： T vjmax

225

A

PD

最大電源 消耗 @ T vj =175o C

852

W

シンボル

説明

バリュー

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

75

A

IFm

パルス 収集家 現在の t p 限定的 著者： T vjmax

225

A

シンボル

説明

バリュー

単位

T バイト

交差点の動作温度

-40から175

o C

T STG

保管温度範囲

-55から+150

o C

T 秒

溶接温度1.6mmf ロームケース 10s

260

o C

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=75A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25o C

1.75

2.20

V

IC=75A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150o C

2.10

IC=75A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =175o C

2.20

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=3.00mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T vj =25o C

5.0

5.8

6.5

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25o C

250

微分数

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25o C

100

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗

2.0

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, V 遺伝子組み換え =0V

6.58

ロープ

Cオーエス

輸出容量

0.40

Cres

逆転移転 容量

0.19

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15...+15V

0.49

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=75A, バー G=4.7Ω

V 遺伝子組み換え =±15V Ls=40nH,

T vj =25o C

41

nS

t バー

昇る時間

135

nS

t 消して

切断する 遅延時間

87

nS

t f

秋の時間

255

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

12.5

mJ

Eオフ

切断する 損失

3.6

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=75A, バー G=4.7Ω

V 遺伝子組み換え =±15V Ls=40nH,

T vj =150o C

46

nS

t バー

昇る時間

140

nS

t 消して

切断する 遅延時間

164

nS

t f

秋の時間

354

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

17.6

mJ

Eオフ

切断する 損失

6.3

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=75A, バー G=4.7Ω

V 遺伝子組み換え =±15V Ls=40nH,

T vj =175o C

46

nS

t バー

昇る時間

140

nS

t 消して

切断する 遅延時間

167

nS

t f

秋の時間

372

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

18.7

mJ

Eオフ

切断する 損失

6.7

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T vj =175o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

300

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =75A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25o C

1.75

2.20

V

IF =75A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150o C

1.75

IF =75A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =175o C

1.75

trr

逆ダイオード 回復時間

V バー =600V,I F =75A,

-di/dt=370A/μs,V 遺伝子組み換え =-15V, Ls=40nH,

T vj =25o C

267

nS

Qバー

回収された電荷

4.2

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

22

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

1.1

mJ

trr

逆ダイオード 回復時間

V バー =600V,I F =75A,

-di/dt=340A/μs,V 遺伝子組み換え =-15V, Ls=40nH,

T vj =150o C

432

nS

Qバー

回収された電荷

9.80

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

33

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

2.7

mJ

trr

逆ダイオード 回復時間

V バー =600V,I F =75A,

-di/dt=320A/μs,V 遺伝子組み換え =-15V, Ls=40nH,

T vj =175o C

466

nS

Qバー

回収された電荷

11.2

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

35

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

3.1

mJ

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

バー thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について 交差点 (Dあたり) ヨード)

0.176 0.371

総量

バー ザ

接続と環境

40

総量