IDG75X12T2、IGBTディスクリート、STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 o C @ T C =100 o C

150

75

A について

わかった Cm

パルス 収集家 現在 t p 限定された by T vjmax

225

A について

P D

最大電源 消耗 @ T vj =175 o C

852

W について

シンボル

説明

バリュー

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

75

A について

わかった Fm

パルス 収集家 現在 t p 限定された by T vjmax

225

A について

シンボル

説明

バリュー

ユニット

T バイト

交差点の動作温度

-40から175

o C

T STG

保管温度範囲

-55から+150

o C

T S

溶接温度1.6mmf ロームケース 10s

260

o C

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =75A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 o C

1.75

2.20

V

わかった C =75A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について o C

2.10

わかった C =75A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =175 o C

2.20

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =3.00 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T vj =25 o C

5.0

5.8

6.5

V

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25 o C

250

微分数

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25 o C

100

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗

2.0

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, V 遺伝子組み換え =0V

6.58

ロープ

C オーエス

輸出容量

0.40

C res

逆転移転 容量

0.19

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15...+15V

0.49

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =75A, R G =4.7Ω

V 遺伝子組み換え =±15V Ls=40nH,

T vj =25 o C

41

nS

t r

昇る時間

135

nS

t 消して

切断する 遅延時間

87

nS

t f

秋の時間

255

nS

E on

オン スイッチング 損失

12.5

mJ

E オフ

切断する 損失

3.6

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =75A, R G =4.7Ω

V 遺伝子組み換え =±15V Ls=40nH,

T vj =150 について o C

46

nS

t r

昇る時間

140

nS

t 消して

切断する 遅延時間

164

nS

t f

秋の時間

354

nS

E on

オン スイッチング 損失

17.6

mJ

E オフ

切断する 損失

6.3

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =75A, R G =4.7Ω

V 遺伝子組み換え =±15V Ls=40nH,

T vj =175 o C

46

nS

t r

昇る時間

140

nS

t 消して

切断する 遅延時間

167

nS

t f

秋の時間

372

nS

E on

オン スイッチング 損失

18.7

mJ

E オフ

切断する 損失

6.7

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T vj =175 o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

300

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =75A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5o C

1.75

2.20

V

わかった F =75A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =15 0o C

1.75

わかった F =75A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =17 5o C

1.75

trr

逆ダイオード 回復時間

V R =600V,I F =75A,

-di/dt=370A/μs,V 遺伝子組み換え =-15 V, Ls=40nH,

T vj =25 o C

267

nS

Q r

回収された電荷

4.2

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

22

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

1.1

mJ

trr

逆ダイオード 回復時間

V R =600V,I F =75A,

-di/dt=340A/μs,V 遺伝子組み換え =-15 V, Ls=40nH,

T vj =150 について o C

432

nS

Q r

回収された電荷

9.80

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

33

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

2.7

mJ

trr

逆ダイオード 回復時間

V R =600V,I F =75A,

-di/dt=320A/μs,V 遺伝子組み換え =-15 V, Ls=40nH,

T vj =175 o C

466

nS

Q r

回収された電荷

11.2

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

35

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

3.1

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

R thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について 交差点 (Dあたり) ヨード)

0.176 0.371

総量

R ザ

接続と環境

40

総量