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H150KPU,位相制御サイリスタ

部品番号 H150KPU-KT140cT

Brand:
テクセム
Spu:
H150KPU-KT140cT
Appurtenance:

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  • 紹介
  • 概要
紹介

IT(AV)

4200a について

VDRM,VRRMほら

7500V   8000V

8500V

特徴について

  • 中心増幅ゲート
  • セラミック絶縁体付き金属ケース
  • 低いオン状態およびスイッチング損失

典型的なアプリケーションについて

  • a についてCコントローラー
  • DCおよびACモーター制御
  • 制御整流器

ほら

ほら

シンボル

ほら

特徴

ほら

試験条件

Tj(℃) について

価値

ほら

ユニット

ポイント

タイプ

最大

IT(AV)

平均オン状態電流

180°半正弦波 50Hz 両面冷却

TC=70°C

100

ほら

ほら

4200

a について

VDRM VRRM

繰り返しピークオフ状態電圧 繰り返しピーク逆電圧

tp=10ms

125

7300

ほら

8500

v について

Idrm Irrm

ほら

繰り返しピーク電流

VDRMおよびVRRMで

100

ほら

ほら

800

ママ

@7000V, DC

25

ほら

ほら

100

微分数

ITSM

サージオン状態電流

10ms半正弦波 VR=0.6VRRM

ほら

100

ほら

ほら

100

ポイント

融解調整のためのI2t

ほら

ほら

50000

103A2s

VTO

限界電圧

ほら

ほら

100

ほら

ほら

1.56

v について

ロープ

オン状態スロープ抵抗

ほら

ほら

0.12

VTM

ピークオン状態電圧

ITM=5000A, F=120kN

25

ほら

ほら

2.40

v について

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=0.67VDRM

100

ほら

ほら

2000

V/μs

di/dt

オン状態の電流の上昇の臨界速度

VDM= 67%VDRM,

ゲートパルス tr ≤0.5μs    IGM=1.5A

100

ほら

ほら

600

A/μs

Qrr

リカバリーチャージ

ITM=3000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

100

ほら

9200

ほら

µC

IGT

ゲートトリガ電流

ほら

ほら

VA=12V, IA=1A

ほら

ほら

25

40

ほら

300

ママ

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.8

ほら

3.5

v について

IH

ホールディング電流

20

ほら

1000

ママ

について

ラッチ電流

ほら

ほら

1000

ママ

VGD

非トリガゲート電圧

VDM=67%VDRM

100

ほら

ほら

0.3

v について

Rth(j-c)

ジャンクションからケースへの熱抵抗

180で正弦波、両面冷却 クランプ力120kN

ほら

ほら

ほら

0.0020

ほら

C /W

Rth(c-h)

ケースからヒートシンクまでの熱抵抗

ほら

ほら

ほら

0.0005

fm

取り付け力

ほら

ほら

165

175

190

kn

Tvj

接合温度

ほら

ほら

-40

ほら

100

°C

ターゲット・ストーブ

保存温度

ほら

ほら

-40

ほら

140

°C

wt

体重

ほら

ほら

ほら

4000

ほら

g

概要

KT140cT

ほら

概要

H150KPU-2.png

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