IT(AV) | 4200a について |
VDRM,VRRMほら | 7500V 8000V 8500V |
特徴について
典型的なアプリケーションについて
ほら
ほら シンボル | ほら 特徴 | ほら 試験条件 | Tj(℃) について | 価値 | ほら ユニット | |||
ポイント | タイプ | 最大 | ||||||
IT(AV) | 平均オン状態電流 | 180°半正弦波 50Hz 両面冷却 | TC=70°C | 100 | ほら | ほら | 4200 | a について |
VDRM VRRM | 繰り返しピークオフ状態電圧 繰り返しピーク逆電圧 | tp=10ms | 125 | 7300 | ほら | 8500 | v について | |
Idrm Irrm | ほら 繰り返しピーク電流 | VDRMおよびVRRMで | 100 | ほら | ほら | 800 | ママ | |
@7000V, DC | 25 | ほら | ほら | 100 | 微分数 | |||
ITSM | サージオン状態電流 | 10ms半正弦波 VR=0.6VRRM | ほら 100 | ほら | ほら | 100 | カ | |
ポイント | 融解調整のためのI2t | ほら | ほら | 50000 | 103A2s | |||
VTO | 限界電圧 | ほら | ほら 100 | ほら | ほら | 1.56 | v について | |
ロープ | オン状態スロープ抵抗 | ほら | ほら | 0.12 | mΩ | |||
VTM | ピークオン状態電圧 | ITM=5000A, F=120kN | 25 | ほら | ほら | 2.40 | v について | |
dv/dt | オフステート電圧の急激な上昇率 | VDM=0.67VDRM | 100 | ほら | ほら | 2000 | V/μs | |
di/dt | オン状態の電流の上昇の臨界速度 | VDM= 67%VDRM, ゲートパルス tr ≤0.5μs IGM=1.5A | 100 | ほら | ほら | 600 | A/μs | |
Qrr | リカバリーチャージ | ITM=3000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V | 100 | ほら | 9200 | ほら | µC | |
IGT | ゲートトリガ電流 | ほら ほら VA=12V, IA=1A | ほら ほら 25 | 40 | ほら | 300 | ママ | |
Vgt | ゲートトリガ電圧 | 0.8 | ほら | 3.5 | v について | |||
IH | ホールディング電流 | 20 | ほら | 1000 | ママ | |||
について | ラッチ電流 | ほら | ほら | 1000 | ママ | |||
VGD | 非トリガゲート電圧 | VDM=67%VDRM | 100 | ほら | ほら | 0.3 | v について | |
Rth(j-c) | ジャンクションからケースへの熱抵抗 | 180で│正弦波、両面冷却 クランプ力120kN | ほら | ほら | ほら | 0.0020 | ほら │C /W | |
Rth(c-h) | ケースからヒートシンクまでの熱抵抗 | ほら | ほら | ほら | 0.0005 | |||
fm | 取り付け力 | ほら | ほら | 165 | 175 | 190 | kn | |
Tvj | 接合温度 | ほら | ほら | -40 | ほら | 100 | °C | |
ターゲット・ストーブ | 保存温度 | ほら | ほら | -40 | ほら | 140 | °C | |
wt | 体重 | ほら | ほら | ほら | 4000 | ほら | g | |
概要 | KT140cT |
ほら
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