GD800HFX120C6HA,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった C

コレクタ電流 @ T C =100 o C

800

A について

わかった Cm

パルスコレクター電流 t p =1ms

1600

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =175 o C

5172

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

800

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

1600

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t= 1分前

2500

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =800A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 o C

1.95

2.40

V

わかった C =800A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について o C

2.30

わかった C =800A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について o C

2.40

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =24.0 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25 o C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗

0.7

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

62.1

ロープ

C res

逆転移転 容量

1.74

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15...+15V

4.66

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =800A R G =1.0Ω, V 遺伝子組み換え =±15V L S =40 nH ,T j =25 o C

266

nS

t r

昇る時間

98

nS

t 消して

切断する 遅延時間

394

nS

t f

秋の時間

201

nS

E on

オン スイッチング 損失

108

mJ

E オフ

切断する 損失

73.8

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =800A R G =1.0Ω, V 遺伝子組み換え =±15V L S =40 nH ,T j =125 について o C

280

nS

t r

昇る時間

115

nS

t 消して

切断する 遅延時間

435

nS

t f

秋の時間

275

nS

E on

オン スイッチング 損失

153

mJ

E オフ

切断する 損失

91.3

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =800A R G =1.0Ω, V 遺伝子組み換え =±15V L S =40 nH ,T j =150 について o C

282

nS

t r

昇る時間

117

nS

t 消して

切断する 遅延時間

446

nS

t f

秋の時間

290

nS

E on

オン スイッチング 損失

165

mJ

E オフ

切断する 損失

94.4

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

2400

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =800A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 o C

2.00

2.45

V

わかった F =800A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 25o C

2.15

わかった F =800A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 50o C

2.20

Q r

回収された電荷

V CC =600V,I F =800A

-di/dt=5800A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L S =40 nH ,T j =25 o C

48.1

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

264

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

18.0

mJ

Q r

回収された電荷

V CC =600V,I F =800A

-di/dt=4800A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L S =40 nH ,T j =125 について o C

95.3

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

291

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

35.3

mJ

Q r

回収された電荷

V CC =600V,I F =800A

-di/dt=4550A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L S =40 nH ,T j =150 について o C

107

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

293

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

38.5

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

R 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の R 100

T C =100 o C ロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B について 25/50

B値

R 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2- 半角形から

3375

K

B について 25/80

B値

R 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2- 半角形から

3411

K

B について 25/100

B値

R 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2- 半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

R thJC

接合 -オー -事例 (perIGBT ) ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.029 0.050

総量

R thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.028 0.049 0.009

総量

M

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク スクロール M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

350

g