GD300FFA120C6S、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C @ T C=100o C

320

300

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

600

A

PD

最大電源 消耗 @ T j =175o C

1063

W

シンボル

説明

バリュー

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

300

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

600

A

シンボル

説明

バリュー

単位

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

2500

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

1.40

1.85

V

IC=300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125o C

1.60

IC=300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =175o C

1.60

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=8mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

1.5

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, V 遺伝子組み換え =0V

51.5

ロープ

Cres

逆転移転 容量

0.36

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

4.50

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=300A バー G=1.5Ω,Ls=32nH, V 遺伝子組み換え =±15V

T j =25o C

405

nS

t バー

昇る時間

83

nS

t 消して

切断する 遅延時間

586

nS

t f

秋の時間

129

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

34.3

mJ

Eオフ

切断する 損失

19.3

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=300A バー G=1.5Ω,Ls=32nH, V 遺伝子組み換え =±15V

T j =125o C

461

nS

t バー

昇る時間

107

nS

t 消して

切断する 遅延時間

676

nS

t f

秋の時間

214

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

48.0

mJ

Eオフ

切断する 損失

26.6

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=300A バー G=1.5Ω,Ls=32nH, V 遺伝子組み換え =±15V

T j =175o C

518

nS

t バー

昇る時間

124

nS

t 消して

切断する 遅延時間

738

nS

t f

秋の時間

264

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

58.1

mJ

Eオフ

切断する 損失

31.7

mJ

ISC

SC データ

t P≤7μs, V 遺伝子組み換え =15V

T j =150o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

1150

A

t P≤6μs V 遺伝子組み換え =15V

T j =175o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

1110

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.60

2.00

V

IF =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =125o C

1.60

IF =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =175o C

1.50

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =300A

-di/dt=3135A/μs,V 遺伝子組み換え =15V Ls=32nH,T j =25o C

19.1

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

140

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

4.92

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =300A

-di/dt=2516A/μs,V 遺伝子組み換え =15V Ls=32nH,T j =125o C

33.7

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

159

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

9.35

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =300A

-di/dt=2204A/μs,V 遺伝子組み換え =15V Ls=32nH,T j =175o C

46.8

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

171

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

13.7

mJ

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

21

nH

バー CC+EE

モジュールリードレジスタ nce、ターミナルからチップ

1.80

mΩ

バー thJC

接合 —～ —事例 (perIGBT ) ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.141 0.243

総量

バー thCH

事例 —～ —熱シンク (perIGBT )ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.085 0.147 0.009

総量

分

固定螺栓:M6

3.0

6.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

300

g