GD1000HTA75P6HLT

シンボル

説明

バリュー

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

750

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった CN

実装されたコレクター Cu rrent

1000

A について

わかった C

コレクタ電流 @ T F =125 について o C

450

A について

わかった Cm

パルスコレクター電流 t p =1ms

2000

A について

P D

最大電力損失 する @ T F =75 o C T vj =175 o C

1282

W について

シンボル

説明

バリュー

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

750

V

わかった FN

実装されたコレクター Cu rrent

1000

A について

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

450

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

2000

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T vjmax

交差点最大温度

175

o C

T バイト

動作点の温度は連続

期間中の10秒間について 30秒以内に発生 寿命中に最大3000回

-40から+150 +150から+175

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

2500

V

d クリーپ

ターミナルからヒートシンクへ ターミナルからターミナルへ

9.0 9.0

mm

d 明確

ターミナルからヒートシンクへ ターミナルからターミナルへ

4.5 4.5

mm

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 o C

1.10

1.35

V

わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について o C

1.10

わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =175 o C

1.10

わかった C =1000A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 o C

1.40

わかった C =1000A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =175 o C

1.60

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =12.9 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T vj =25 o C

5.5

6.4

7.0

V

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25 o C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗

1.2

ω

C ies

入力容量

V CE =50V,f=100kHz, V 遺伝子組み換え =0V

66.7

ロープ

C オーエス

輸出容量

1.50

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.35

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V CE =400V、I C =450A V 遺伝子組み換え =-15...+15V

4.74

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C =450A

R ゲン =1.2Ω, R ゲッフ =1.0Ω V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =25 o C

244

nS

t r

昇る時間

61

nS

t 消して

切断する 遅延時間

557

nS

t f

秋の時間

133

nS

E on

オン スイッチング 損失

11.0

mJ

E オフ

切断する 損失

22.8

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C =450A

R ゲン =1.2Ω, R ゲッフ =1.0Ω V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =150 について o C

260

nS

t r

昇る時間

68

nS

t 消して

切断する 遅延時間

636

nS

t f

秋の時間

226

nS

E on

オン スイッチング 損失

16.9

mJ

E オフ

切断する 損失

32.2

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C =450A

R ゲン =1.2Ω, R ゲッフ =1.0Ω V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =175 o C

264

nS

t r

昇る時間

70

nS

t 消して

切断する 遅延時間

673

nS

t f

秋の時間

239

nS

E on

オン スイッチング 損失

19.2

mJ

E オフ

切断する 損失

33.6

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤6μs V 遺伝子組み換え =15V

T vj =25 o C,V CC =400V, V 単数 ≤750V

4900

A について

t P ≤3μs, V 遺伝子組み換え =15V

T vj =175 o C,V CC =400V, V 単数 ≤750V

3800

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5o C

1.40

1.65

V

わかった F =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150 について o C

1.35

わかった F =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =175 o C

1.30

わかった F =1000A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25 o C

1.80

わかった F =1000A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =175 o C

1.80

Q r

回収された電荷

V R =400V、I F =450A

-di/dt=7809A/μs,V 遺伝子組み換え =8V L S =24 nH ,T vj =25 o C

18.5

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

303

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

3.72

mJ

Q r

回収された電荷

V R =400V、I F =450A

-di/dt=6940A/μs,V 遺伝子組み換え =8V L S =24 nH ,T vj =150 について o C

36.1

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

376

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

8.09

mJ

Q r

回収された電荷

V R =400V、I F =450A

-di/dt=6748A/μs,V 遺伝子組み換え =8V L S =24 nH ,T vj =175 o C

40.1

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

383

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

9.01

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

R 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の R 100

T C =100 o C ロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B について 25/50

B値

R 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2- 半角形から

3375

K

B について 25/80

B値

R 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2- 半角形から

3411

K

B について 25/100

B値

R 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2- 半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

8

nH

R CC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.75

mΩ

p

冷却回りの最大圧 キュート

T ベースプレート <40 o C

T ベースプレート >40 o C

（相対圧力）

2.5 2.0

バー

R thJF

接合 -オー -冷却 流体 (perIGBT )結合冷却液 (Dあたり) ヨード) △ V/ △ t=10.0 dM 3/ほんの少し ,T F =75 o C

0.068 0.105

0.078 0.120

総量

M

端末接続トーク スクロール M5 固定トーク スクロールM4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M<br>

G

重量 の モジュール

750

g