VCE = 1700 V
IC = 2 × 1000 A
超低インダクタンス・フェーズレッグモジュール
高電流密度を実現したコンパクト設計。デレーティング不要の並列接続
高電力サイクル耐性を実現するAlSiCベースプレート。低熱抵抗のAlN基板
低損失・高速・高耐久性SPT++チップセット
最大定格値
仕様 |
シンボル |
条件 |
分 |
最大 |
単位 |
集合器-放出器の電圧 |
V CES |
V 遺伝子組み換え = 0 V, T vj ≥ 25 °C |
|
1700 |
V |
DC コレクタ 現在の |
私 C |
T C = 100 °C、T vj = 175 °C |
|
1000 |
A |
ピークコレクタ 現在の |
私 Cm |
t p = 1 ms |
|
2000 |
A |
ゲート・エミッター・ボルト |
V 総エネルギー |
|
-20 |
20 |
V |
総出力 散熱 |
Ptot |
T C = 25 °C、T vj = 175 °C |
|
5500 |
W |
DC順方向電流 |
私 F |
|
|
1000 |
A |
ピークフォワード 現在の |
私 FRM |
t p = 1 ms |
|
2000 |
A |
サージ電流 |
私 FSM |
V バー = 0 V, T vj = 175 °C, t p = 10 ms, 半分 —正弦波 |
|
5400 |
A |
IGBT短絡 SOA |
t psc |
V CC = 1300 V、 V 単数 チップ ≤ 1700 V V 遺伝子組み換え ≤ 15 V、T vj 始める ≤ 150 °C |
|
10 |
µs |
絶縁電圧 |
V 孤立 |
1 分、 f = 50 Hz |
|
4000 |
V |
接合温度 |
T vj |
|
-40 |
175 |
°C |
接合部動作 温度 |
T vj (op ) |
|
-40 |
175 |
°C |
ケース温度 |
T C |
|
-40 |
150 |
°C |
保管温度 |
T sTG |
|
-40 |
125 |
°C |
|
取り付けトルク 2) |
分 秒 |
ベース —熱シンク 、M6 ねじ |
4 |
6 |
Nm |
分 t 1 |
主端子、M8 ねじ |
8 |
10 |
||
分 t 2 |
補助端子、M3ねじ |
0.9 |
1.1 |
はい、各商品について原産地証明書を発行いたします。 注文。
支払い方法は銀行振込（T/T）で承ります。契約締結後、契約金として30％の前払いをいただき、出荷前に残金全額をお支払いいただきます。
FCA、FOB、CIF、DDPなどの国際貿易規則に準拠した納入条件に対応可能です。
もちろんです。大規模な導入に先立ち、サンプルによる試験を行うことは必須のステップです。当社はこのアプローチを全面的に支持・推奨しており、お客様の製品評価試験を積極的に支援し、必要なサンプルを確実にご提供いたします。
承知しました！お客様のニーズに最も適した製品をご提案するため、以下の情報をご提供ください：
当社のプロフェッショナルな営業チームが、お問い合わせをお待ちしています。
商品リストをご覧になり 気になる質問をしてください
EN
