Y50KFE,tiristore a spegnimento rapido non simmetrico

Il simbolo

Caratteristica

Condizioni di prova

Tj(℃ )

Valore

Unità

Min

TIPO

Max

IT(AV)

Corrente media in stato di accensione

180° onda sinusoidale metà 50Hz raffreddato su entrambi i lati,

TC=55℃

125

1494

A

TC=70℃

1243

VDRM

Tensione di picco ripetitiva in stato di off

tp=10ms

125

1200

2000

V

VRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1000

1800

Idrm Irrm

Corrente di picco ripetitiva

a VDRM a VRRM

125

80

mA

ITSM

Corrente di sovratensione in stato di accensione

10ms onda sinusoidale metà VR=0.6VRRM

125

17

kA

I2t

I2t per coordinazione fusibile

1445

A2s* 103

VTO

Voltaggio di soglia

125

1.57

V

rT

Resistenza alla pendenza in stato attivo

0.21

mΩ

VTM

Tensione di picco in stato di accensione

ITM=3000A, F=24kN

15 μs≤tq≤28 μs

25

2.50

V

29 μs≤tq≤55 μs

2.10

V

dv/dt

Tasso critico di aumento della tensione in stato di off

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento

VDM= 67%VDRM a 1600A,

Impulso di gate tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

Tassa di recupero

ITM= 1000A,tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V

125

750

μC

tq

Tempo di spegnimento commutato da circuito

ITM= 1000A,tp=4000μs,VR= 100V dv/dt=30V/μs,di/dt=-20A/μs

125

15

55

μs

IGT

Corrente di attivazione del gate

VA= 12V, IA= 1A

25

40

300

mA

Vgt

Tensione di attivazione del gate

0.9

3.0

V

IH

Corrente di mantenimento

20

500

mA

IL

Corrente di aggancio

1000

mA

VGD

Tensione di gate non attivata

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

A 1800 seno, doppio lato raffreddato Forza di fissaggio 24kN

0.020

。C /W

Rth(c-h)

Resistenza termica dal case al dissipatore di calore

0.005

FM

Forza di montaggio

19

26

kN

Tvj

Temperatura di giunzione

-40

125

℃

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

140

℃

Wt

Peso

440

g

Outline

KT50cT