Introduzione Tecnica
I transistor a effetto di campo (FET) a bassa tensione con struttura a trincea (Trench MOSFET) per semiconduttori di potenza sono evoluti rispetto ai precedenti FET a gate planare. Questi dispositivi migliorano il canale conduttivo orizzontale passando a un canale conduttivo verticale, rendendo possibile una ulteriore riduzione dell’area della cella elementare. Contestualmente, viene utilizzato uno strato epitassiale a bassa drogatura per garantire un’adeguata tolleranza di tensione; variando la concentrazione di drogaggio e lo spessore dello strato epitassiale, è possibile ottenere agevolmente dispositivi con diverse classi di tensione. Mentre si garantisce che la tensione di rottura del dispositivo soddisfi i requisiti richiesti, una tendenza fondamentale nello sviluppo dei dispositivi di potenza a trincea consiste nel ridurre le dimensioni della singola cella elementare e nell’aumentarne la densità, contribuendo così a ridurre la resistenza in conduzione per unità di superficie.
Serie di MOSFET a trincea (Trench) per media e bassa tensione prodotti coprono intervalli di tensione da N/P20 V a 100 V. Sono adottati diversi schemi progettuali per soddisfare i requisiti prestazionali specifici delle varie applicazione campi, garantendo ottime prestazioni in ciascuna applicazione specifica.
Vantaggi del prodotto e competitività
Elevata robustezza in condizioni di valanga
Alta resistenza agli impatti
Serie completa di prodotti
Principali settori applicativi
Convertitori di corrente continua
Caricabatterie e adattatori
Protezione per batterie al litio
Azionamenti per motori
Rettifica sincrona
Interruttori di carico
Diagramma schematico del MOSFET planare
Catalogo MOSFET
--MOSFET a trench
| Numero di parte |
iD(A)
25℃
|
RDS(ON)(mΩ)
(VGS = 10 V) |
RDS(ON)(mΩ)
(VGS = 4,5 V) |
Qg (((nc)
(Vcs=10 V) |
Qg (((nc)
(VGS = 4,5 V) |
VGs
(V) |
VGs(th)
(V) |
Imballaggio |
| Tipo. |
Max. |
Tipo. |
Max. |
Tipo. |
Tipo. |
Tipo. |
|
Livello di Tensione ：30V
|
| LNNO3R040WE |
80 |
2.95 |
4 |
4.6 |
6.8 |
54 |
-- |
±20 |
1.0-2.5 |
DFN5*6 |
| LNNO3R050WE |
50 |
4.2 |
5 |
-- |
-- |
33.7 |
-- |
±20 |
1.0-2.0 |
DFN5*6 |
| LNNE03R078WE |
30 |
6.4 |
7.8 |
9.8 |
13 |
18.3 |
-- |
±20 |
1.0-2.0 |
DFN3*3 |
|
|
Livello di Tensione ：40V
|
| LNC04R050 |
110 |
3.8 |
5 |
4.7 |
6.2 |
66.7 |
-- |
20 |
1.5 |
TO-220 |
| LNN04R050 |
80 |
3.8 |
5 |
4.7 |
6.2 |
66.7 |
-- |
20 |
1.5 |
DFN5*6 |
| LNN04R065WE |
55 |
4.8 |
6.5 |
6.8 |
9.5 |
54 |
-- |
±20 |
1.1-2.2 |
DFN5*6 |
| LNC04R075 |
60 |
5.6 |
7.5 |
-- |
-- |
51.2 |
-- |
±20 |
1.5 |
TO-220 |
| LNND04R120 |
20 |
7.5 |
12 |
9.5 |
16 |
25 |
-- |
±20 |
1.5 |
DFN5*6 |
|
|
Livello di Tensione ：60V
|
| LNE06R079 |
90 |
6 |
.5 7 |
.9 7.6 |
9.5 |
69 |
-- |
20 |
1.3 |
To-263 |
|
|
Livello di Tensione ：70V
|
| LNG07R085H |
70 |
7.2 |
8.5 |
-- |
-- |
65.4 |
-- |
±20 |
3 |
To-252 |
| LNE07R085H |
85 |
7.2 |
8.5 |
-- |
-- |
65.4 |
-- |
20 |
3 |
To-263 |
Domande Frequenti
Q : Sono un produttore di apparecchiature elettriche; come posso scegliere i vostri prodotti?
A: La scelta del prodotto giusto è fondamentale per tutti gli utenti. È necessario indicarmi correttamente il vostro campo di applicazione e i parametri chiave dell’IGBT di cui avete bisogno. Vi consiglierò i prodotti più adatti alle vostre esigenze e vi invierò la scheda tecnica del prodotto affinché possiate verificarne i parametri.
D: Sono un titolare di marchio; potete realizzare per me prodotti in OEM?
A: Sì. Potete scegliere il modello che desiderate produrre in OEM dall’intera gamma dei nostri prodotti. Per prodotti non presenti nel nostro catalogo, i nostri ingegneri effettueranno la progettazione in base ai vostri requisiti tecnici.
Quindi firmi il contratto di produzione.
Può affidarci la stampa del suo logo sul prodotto oppure può eseguire la stampa autonomamente. Naturalmente, qualora desideri affidare alla nostra azienda la stampa del suo logo, dovrà rilasciarci una procura.
D: Come garantite la qualità dei vostri prodotti?
A: Il nostro stabilimento produttivo dispone di un sistema completo di gestione della qualità e di un laboratorio di controllo qualità di prim'ordine. Effettuiamo ispezioni qualitative sui semilavorati in punti chiave del processo produttivo e svolgiamo un'ispezione finale casuale prima della spedizione. Vengono inoltre rilasciati rapporti di ispezione e certificati di qualità.
D: Come garantite che i prodotti da voi forniti siano originali e autentici?
A: (1) Il nostro stabilimento rilascerà una lettera di garanzia sull'autenticità dei prodotti.
(2) Ogni partita di merce da noi esportata è accompagnata da un certificato di origine rilasciato dalle autorità doganali cinesi s.
Ci concentriamo sull'applicazione di prodotti IGBT. Sulla base dell'applicazione degli IGBT, abbiamo ampliato il nostro spettro di prodotti alla personalizzazione di Assemblaggi di Potenza ad alte prestazioni; allo stesso tempo, la nostra attività si è espansa nel settore dei prodotti per il controllo automatico, tra cui convertitori ADC/DAC, regolatori LDO, amplificatori strumentali, relè elettromagnetici, PhotoMOS e MOSFET.
In questo modo, possiamo collaborare con i principali produttori cinesi nelle nostre aree di competenza per fornire ai nostri clienti prodotti affidabili ed economicamente vantaggiosi.
Fondati sui principi di innovazione ed eccellenza, siamo in prima linea nelle soluzioni alternative nel settore dei semiconduttori e nella tecnologia.
La nostra visione è fornire soluzioni alternative ai nostri clienti, migliorare il rapporto qualità-prezzo delle loro soluzioni applicative e garantire la sicurezza della loro catena di approvvigionamento attraverso prodotti made in China.
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