Vantaggi tecnici del MOSFET a giunzione superiore
## MOSFET Super Junction ad alte prestazioni
Basati sulla tecnologia avanzata Super Junction, i nostri prodotti raggiungono un eccellente equilibrio tra capacità di tensione elevata, alta efficienza e straordinaria affidabilità. Grazie a un innovativo design della struttura di compensazione della carica, questi dispositivi riducono efficacemente la resistenza nello stato di conduzione (RDS(on)), minimizzano le perdite di conduzione e migliorano l’efficienza complessiva del sistema.
Caratterizzati da prestazioni di commutazione rapide, parametri parassiti ridotti e ottima stabilità termica, i MOSFET Super Junction sono progettati per soddisfare i rigorosi requisiti delle applicazioni ad alta frequenza e alta densità di potenza. Vengono ampiamente utilizzati negli alimentatori industriali, nei sistemi di alimentazione per server, nelle apparecchiature di ricarica per veicoli elettrici (EV), nei sistemi fotovoltaici di accumulo energetico e nelle applicazioni di azionamento motore.
Grazie a una tecnologia di processo semiconduttore avanzata e a un rigoroso controllo qualità, i nostri MOSFET Super Junction offrono ai clienti globali soluzioni semiconduttive per la gestione della potenza ad alte prestazioni e altamente affidabili.
Il MOSFET a giunzione superiore introduce il controllo del campo elettrico laterale mediante strutture alternate di colonne di tipo P, sviluppando ulteriormente la progettazione tradizionale VDMOS, il che consente alla distribuzione del campo elettrico verticale di avvicinarsi a una forma rettangolare ideale.
In condizioni identiche di resistenza epitassiale, questa struttura aumenta la capacità del dispositivo di sopportare tensione di circa il 20%. Per prodotti con lo stesso valore di tensione nominale, la tecnologia supergiunzione può ridurre la resistenza in conduzione per unità di area a meno di 1/8 rispetto alle strutture tradizionali, ottenendo un’ottimizzazione sinergica tra perdite di conduzione e caratteristiche di blocco.
I prodotti della serie di MOSFET a giunzione superiore della nostra azienda sono realizzati mediante tecnologie avanzate di trincea profonda e epitassia multipla, caratterizzandosi per una resistenza in conduzione e una carica di gate estremamente basse, con una riduzione significativa delle perdite di conduzione e di commutazione. Sono particolarmente adatti per sistemi di conversione elettronica di potenza ad alta densità di potenza e ad alto rendimento.
Perché scegliere i nostri prodotti della serie MOSFET?
Basse perdite di conduzione
Basse perdite di commutazione
Alta densità di potenza
Gamma completa di prodotti
Applicazioni
- Caricabatterie per veicoli (OBC)
- alimentatore per server
- alimentazione per Comunicazione
- Convertitore DC/DC montato su veicolo
- pila di ricarica
- charger
- adattatore
- Alimentazione TV
- nuova energia
- LED
- PC
Diagramma schematico del MOSFET a giunzione superiore (epitassia multipla)

Confronto tra MOSFET planare e MOSFET a giunzione superiore

Chi siamo
Ci concentriamo sul applicazione dei prodotti IGBT e dei circuiti integrati (IC). Sulla base delle applicazioni degli IC IGBT, abbiamo ampliato il nostro spettro di prodotti verso la personalizzazione di assemblaggi di potenza di fascia alta; contemporaneamente, la nostra attività si è estesa al settore dei prodotti per il controllo automatico, inclusi ADC/DAC, regolatori LDO, amplificatori strumentali, relè elettromagnetici, PhotoMOS e MOSFET. In questo modo, possiamo collaborare con i principali produttori cinesi nelle nostre aree di competenza, fornendo ai nostri clienti prodotti affidabili ed economicamente vantaggiosi.
Fondati sui principi di innovazione ed eccellenza, siamo in prima linea nelle soluzioni alternative nel settore dei semiconduttori e nella tecnologia.
La nostra visione è fornire soluzioni alternative ai nostri clienti, migliorare il rapporto qualità-prezzo delle loro soluzioni applicative e garantire la sicurezza della loro catena di approvvigionamento attraverso prodotti made in China.







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