Serie di MOSFET in carburo di silicio

Soluzioni di semiconduttori di potenza di nuova generazione

Il nostro portafoglio di MOSFET SiC copre classi di tensione da 650 V a 3300 V , garantendo un’eccezionale efficienza, un’elevata densità di potenza e un’eccellente affidabilità per applicazioni esigenti di conversione di potenza.

Caratteristiche principali

• Intervallo di tensione: 650 V – 3300 V

• Bassa resistenza RDS(on) ed eccezionalmente basse perdite di commutazione

• Elevata velocità di commutazione per funzionamento ad alta frequenza

• Temperatura massima di giunzione fino a 175°C

• Elevata densità di potenza e gestione termica semplificata

• Maggiore efficienza del sistema e riduzione dei costi operativi

Applicazioni

• Sistemi di ricarica ev

• Inverter solari e sistemi di accumulo energetico (ESS)

• Azionamenti motore industriali

• Alimentatori di continuità (UPS) e alimentatori per data center

• Trasporti ferroviari e convertitori ad alta potenza

• Reti intelligenti (smart grid) e sistemi energetici rinnovabili

Perché scegliere il carburo di silicio (SiC)?

Rispetto ai dispositivi convenzionali al silicio, i MOSFET in carburo di silicio (SiC) offrono maggiore efficienza, dimensioni ridotte del sistema, minori esigenze di raffreddamento e affidabilità migliorata , consentendo lo sviluppo di sistemi elettronici di potenza più compatti ed energeticamente efficienti.

Abilitare il futuro della conversione di potenza ad alta efficienza.
Gamma di tensione: 650 V | 1200 V | 1700 V | 2000 V | 3300 V