MZ250, Modulo di Diode a Recupero Rapido, TECHSEM

VRRM

Tipo e contorno

2000 V

2200V

2500 V

di potenza superiore a 300 V

3000V

MZ250-20-417F2

MZ250-22-417F2

MZ250-25-417F2

MZ250-28-417F2

MZ250-30-417F2

Il simbolo

CARATTER ISTICA

Condizioni di prova

Tj(°C)

Valore

Unità

Min

TIPO

Max

IF(AV)

Corrente media diretta

onda sinusoidale semiperiodica a 180° 50Hz

Raffreddato da un lato, TC=85°C

140

250

A

IF(RMS)

Corrente diretta RMS

392

A

IRRM

Corrente di picco ripetitiva

a VRRM

140

50

mA

IFSM

Corrente di picco in avanti

10ms onda sinusoidale metà VR=0.6VRRM

140

8

kA

Io ²t

Io ²t per coordinazione fusibile

320

10³A ²s

VFO

Voltaggio di soglia

140

1.85

V

rF

Resistenza di pendenza in avanti

0.50

mΩ

VFM

Tensione di picco in avanti

IFM=750A

25

2.67

V

trr

Tempo di recupero inverso

IFM=300A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR= 100V

140

4

μs

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

Raffreddato da un lato per chip

0.065

°C /W

Rth(c-h)

Resistenza termica case a dissipatore

Raffreddato da un lato per chip

0.030

°C /W

VISO

Tensione di isolamento

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Coppia di collegamento terminale (M10)

10

12

N·m

Coppia di montaggio (M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

Temperatura di giunzione

-40

140

°C

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

125

°C

Wt

Peso

770

g

Outline

417F2