GD820HFA75N6HY

Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 820V 750A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
Basse perdite di cambio
capacità di cortocircuito di 6 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175 ℃
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Baseplate di rame isolata con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Applicazione automobilistica
Veicolo ibrido ed elettrico
Invertitori per motori

Assoluto Massimo Classificazioni T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	750	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io CN	Collettore Cu implementato renta	820	A
Io C	Corrente del collettore @ T F = 95 o C T vj = 175 o C	450	A
Io CRM	Ripetitiva Pico Collettore Corrente tp limitata di T vjop	1640	A
P P	Massima dissipazione di potenza ation @ T F =65 o C T vj = 175 o C	909	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo età	750	V
Io FN	Collettore Cu implementato renta	820	A
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu renta	450	A
Io MF	Ripetitiva Pico In avanti Corrente tp limitata di T vjop	1640	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
T vjmax	Temperatura massima di giunzione	175	o C
T vjop	Temperatura di funzionamento della giunzione continua	-40 a +150	o C
T STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	o C
V ISO	Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V
p Creep	Terminale a dissipatore di calore Terminale a terminale	7.3 7.3	mm
p Chiaro	Terminale a dissipatore di calore Terminale a terminale	7.3 4.0	mm

IGBT Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =680A,V GE = 15V, T vj = 25 o C		1.25	1.50	V
		Io C =680A,V GE = 15V, T vj = 150 o C		1.35
		Io C =680A,V GE = 15V, T vj = 175 o C		1.40
		Io C =820A,V GE = 15V, T vj = 25 o C		1.30
		Io C =820A,V GE = 15V, T vj = 175 o C		1.50
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =12.9 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C	5.5	6.5	7.0	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza interna della porta			1.0		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V		72.3		nF
C - Non	Capacità di uscita			1.51		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità			0.32		nF
Q G	Importo della porta	V CE =400V, Io C =680A, V GE =-10…+15V		4.10		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =400V,I C = 450A, R G =2.4Ω, L S =20 nH ,V GE =-8V/+15V, T vj = 25 o C		483		nS
t r	Tempo di risalita			60		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			664		nS
t f	Tempo di caduta			67		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			16.3		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			17.4		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =400V,I C = 450A, R G =2.4Ω, L S =20 nH ,V GE =-8V/+15V, T vj = 150 o C		507		nS
t r	Tempo di risalita			76		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			750		nS
t f	Tempo di caduta			125		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			26.3		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			22.1		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =400V,I C = 450A, R G =2.4Ω, L S =20 nH ,V GE =-8V/+15V, T vj = 175 o C		509		nS
t r	Tempo di risalita			79		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			764		nS
t f	Tempo di caduta			139		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			27.6		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			23.0		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤3μs, V GE = 15V, T j = 175 o C,V CC =450V, V CEM ≤750V		3300		A

Diodo Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =680A,V GE =0V,T vj =2 5o C		1.60	2.05	V
		Io F =680A,V GE =0V,T vj = 150 o C		1.60
		Io F =680A,V GE =0V,T vj = 175 o C		1.55
		Io F =820A,V GE =0V,T vj =2 5o C		1.70
		Io F =820A,V GE =0V,T vj = 175 o C		1.65
Q r	Importo recuperato	V R =400V,I F = 450A, -di/dt=8350A/μs,L S =20n H, V GE = 8V, T vj = 25 o C		12.4		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			273		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			3.45		mJ
Q r	Importo recuperato	V R =400V,I F = 450A, -di/dt=6670A/μs,L S =20n H, V GE = 8V, T vj = 150 o C		27.7		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			319		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			6.51		mJ
Q r	Importo recuperato	V R =400V,I F = 450A, -di/dt=6410A/μs,L S =20n H, V GE = 8V, T vj = 175 o C		31.8		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			334		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			7.26		mJ

PTC Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
R	Nominale Resistenza	T C =0 o C T C = 150 o C		1000 1573		ω ω
T Cr	Coefficiente di Temperatura nt			0.38		%/K
T S	Auto Riscaldamento	T C =0 o C Io m =0.1...0.3mA		0.4		K/mW

Modulo Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
L CE	Induttanza di deflusso		5		nH
p	Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo			2.5	bar
R thJF	Giunti -to -Raffreddamento Fluid (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per Di odo) △ V/ △ t=2.67 L/ min ,T F =65 o C		0.105 0.157	0.121 0.181	C/W
M	Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vattone M5	3.6 5.4		4.4 6.6	N.M
G	Peso di Modulo		220		g