GD300HFX170C2S,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C =25o C

@ T C = 100o C

493

300

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

600

A

P P

Dissipazione di Potenza Massima T =175o C

1829

W

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C =300A,V GE = 15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

Io C =300A,V GE = 15V, T j =125o C

2.25

Io C =300A,V GE = 15V, T j =150o C

2.35

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 12.0mA,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

2.5

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

36.1

nF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

0.88

nF

Q G

Importo della porta

V GE =- 15…+15V

2.83

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =300A, R G =2.4Ω,

V GE =± 15V, T j =25o C

204

nS

t r

Tempo di risalita

48

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

595

nS

t f

Tempo di caduta

100

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

69.3

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

63.3

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =300A, R G =2.4Ω

v GE =± 15V, T j = 125o C

224

nS

t r

Tempo di risalita

55

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

611

nS

t f

Tempo di caduta

159

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

96.8

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

99.0

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =300A, R G =2.4Ω

v GE =± 15V, T j = 150o C

240

nS

t r

Tempo di risalita

55

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

624

nS

t f

Tempo di caduta

180

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

107

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

105

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

1200

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =300A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

Io F =300A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

Io F =300A,V GE =0V,T j = 150o C

1.95

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

55

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

297

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

32.2

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

116

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

357

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

68.2

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

396

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

120

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

81.6

mJ

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

R CC+EE

Resistenza di Contatto del Modulo nce, Terminale a Chip

0.35

mΩ

R ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.082

0.129

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (p) diodo)

Cassa-sink (per Modulo)

0.033

0.051

0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g