GD1000HFA75N5HT

Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1000V 750A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
Basse perdite di cambio
capacità di cortocircuito di 6 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175 ℃
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Baseplate in rame isolato con pinfin utilizzando Si ₃N ₄Tecnologia AMB

Applicazioni tipiche

Applicazione automobilistica
Veicolo ibrido ed elettrico
Invertitori per motori

Assoluto Massimo Classificazioni T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	750	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io CN	Collettore Cu implementato renta	1000	A
Io C	Collettore Corrente T vj = 175 o C	680	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms	1360	A
P P	Massima dissipazione di potenza ation @ T F =75 o C T vj = 175 o C	1086	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo età	750	V
Io FN	Collettore Cu implementato renta	1000	A
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu renta	680	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	1360	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
T vjmax	Temperatura massima di giunzione	175	o C
T vjop	Temperatura di funzionamento della giunzione continua	-40 a +150	o C
T STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	o C
V ISO	Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V

IGBT Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =680A,V GE = 15V, T vj = 25 o C		1.25	1.50	V
		Io C =680A,V GE = 15V, T vj = 150 o C		1.35
		Io C =680A,V GE = 15V, T vj = 175 o C		1.40
		Io C =1000A,V GE = 15V, T vj = 25 o C		1.45
		Io C =1000A,V GE = 15V, T vj = 175 o C		1.70
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =9.60 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C	5.5	6.5	7.0	V
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =9.60 mA ,V CE = V GE , T vj = 175 o C		3.5		V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza interna della porta			1.0		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V		72.3		nF
C - Non	Capacità di uscita			1.51		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità			0.32		nF
Q G	Importo della porta	V CE =400V, Io C =680A, V GE =-10…+15V		4.10		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =400V,I C =680A, R G =0.22Ω, L S =16 nH , V GE =-10V/+15V, T vj = 25 o C		196		nS
t r	Tempo di risalita			50		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			407		nS
t f	Tempo di caduta			125		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			11.1		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			29.1		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =400V,I C =680A, R G =0.22Ω, L S =16 nH , V GE =-10V/+15V, T vj = 150 o C		222		nS
t r	Tempo di risalita			63		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			471		nS
t f	Tempo di caduta			178		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			19.7		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			37.4		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =400V,I C =680A, R G =0.22Ω, L S =16 nH , V GE =-10V/+15V, T vj = 175 o C		224		nS
t r	Tempo di risalita			68		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			490		nS
t f	Tempo di caduta			194		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			21.7		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			39.5		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤ 6 μs,V GE = 15V,		4000		A
		T vj = 25 o C,V CC =450V, V CEM ≤750V
		t P ≤3μs,V GE = 15V, T vj = 175 o C,V CC =450V, V CEM ≤750V		3300

Diodo Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =680A,V GE =0V,T vj =2 5o C		1.60	2.05	V
		Io F =680A,V GE =0V,T vj = 150 o C		1.60
		Io F =680A,V GE =0V,T vj = 175 o C		1.55
		Io F =1000A,V GE =0V,T vj = 25 o C		1.80
		Io F =1000A,V GE =0V,T vj = 175 o C		1.75
Q r	Importo recuperato	V R =400V,I F =680A, -di/dt=15030A/μs,V GE =-10V, L S =16 nH ,T vj = 25 o C		19.9		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			458		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			6.10		mJ
Q r	Importo recuperato	V R =400V,I F =680A, -di/dt=12360A/μs,V GE =-10V, L S =16 nH ,T vj = 150 o C		29.7		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			504		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			9.70		mJ
Q r	Importo recuperato	V R =400V,I F =680A, -di/dt=11740A/μs,V GE - Sì. 10V, L S =16 nH ,T vj = 175 o C		34.5		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			526		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			11.0		mJ

PTC Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
R	Nominale Resistenza	T C =0 o C T C = 150 o C		1000 1573		ω ω
T Cr	Coefficiente di Temperatura nt			0.38		%/K
T S	Auto Riscaldamento	T C =0 o C Io m =0.1...0.3mA		0.4		K/mW

Modulo Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
L CE	Induttanza di deflusso		5		nH
p	Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo			2.5	bar
R thJF	Giunti -to -Raffreddamento Fluid (perIGBT )Giunzione-a-Fluido di Raffreddamento (per D iodio) △ V/ △ t=8.0 dm 3/min ,T F =65 o C		0.080 0.115		C/W
M	Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vattone M5	5.4 5.4		6.6 6.6	N.M
G	Peso di Modulo		220		g