Y50ZKG, Diodo a Recupero Veloce

Io _T(AV)

1061A

V _RRM

4000V 4200V

4500V 5000V

Il simbolo

Caratteristica

Condizioni di prova

Tj( ℃ )

Valore

Unità

Min

TIPO

Max

IF(AV)

Corrente media diretta

180° onda sinusoidale metà 50Hz raffreddato su entrambi i lati,

TC=85 ℃

1061

A

VRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

tp=10ms

150

4000

5000

V

IRRM

Corrente di picco ripetitiva

a V _RRM

150

100

mA

IFSM

Corrente di picco in avanti

10ms onda sinusoidale semionda VR=0.6V _RRM

150

15

kA

I2t

I2t per coordinazione fusibile

1125

A ²s*10 ³

VFO

Voltaggio di soglia

150

1.73

V

rF

Resistenza di pendenza in avanti

0.51

mΩ

VFM

Tensione di picco in avanti

ITM=1500A, F=24kN

25

3.50

V

IRM

Corrente di recupero inversa

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-60A/µs, VR=100V

150

330

A

trr

Tempo di recupero inverso

10

μs

Qrr

Tassa di recupero

1500

1800

μC

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

A 180 ° sinusoidale, raffreddato a doppio lato Forza di serraggio 24kN

0.020

。C /W

Rth(c-h)

Resistenza termica dal case al dissipatore di calore

0.005

FM

Forza di montaggio

19

26

kN

Tvj

Temperatura di giunzione

-40

150

℃

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

160

℃

Wt

Peso

440

g

Outline

ZT50cT