Műszaki bevezetés
A teljesítményfélvezető alacsonyfeszültségű árkos MOSFET-ek a korábbi sík kapus térhatású tranzisztorokból (FET-ekből) fejlődtek ki. Ezek az eszközök javítják a vízszintes vezető csatornát úgy, hogy függőleges vezető csatornára váltanak, így tovább csökkenthető az egyes elemi cellák felülete. Ugyanakkor egy alacsony dópolt epitaxiális réteg biztosítja a megfelelő feszültségállóságot, és az epitaxiális réteg dópolt koncentrációjának és vastagságának változtatásával könnyen különböző feszültségszintekhez tervezett eszközök állíthatók elő. Míg biztosított a készülék átütési feszültségének megfelelősége, a mélyárkos teljesítményeszközök fejlesztésének egy fontos iránya az egyes elemi cellák méretének csökkentése és az elemi cellák sűrűségének növelése, ami hozzájárul az egységnyi felületre jutó bekapcsolási ellenállás csökkentéséhez.
Közepes és alacsony feszültségű árkos (Trench) MOSFET-sorozat termékek feszültségtartományokat fogadnak le N/P20 V – 100 V között. Különböző tervezési megoldásokat alkalmaznak a különféle alkalmazások specifikus teljesítménykövetelményeinek kielégítésére. alkalmazás területeken, kiváló teljesítményt biztosítva minden egyes alkalmazási területen.
Termék előnyök és versenyképesség
Fő alkalmazási területek
Sík MOSFET kapcsolási rajza
MOSFET-katalógus
--Árok-MOSFET
| Cikkszám |
iD(A)
25℃
|
RDS(ON)(mΩ)
(VGs = 10 V) |
RDS(ON)(mΩ)
(VGs = 4,5 V) |
Qg (nC)
(Vcs=10 V) |
Qg (nC)
(VGs = 4,5 V) |
VGs
(V) |
VGs(th)
(V) |
Csomagolás |
| - Tipikus. |
- Max, kérlek! |
- Tipikus. |
- Max, kérlek! |
- Tipikus. |
- Tipikus. |
- Tipikus. |
|
Feszültségszint ：30V
|
| LNNO3R040WE |
80 |
2.95 |
4 |
4.6 |
6.8 |
54 |
-- |
±20 |
1.0-2.5 |
DFN5*6 |
| LNNO3R050WE |
50 |
4.2 |
5 |
-- |
-- |
33.7 |
-- |
±20 |
1.0-2.0 |
DFN5*6 |
| LNNE03R078WE |
30 |
6.4 |
7.8 |
9.8 |
13 |
18.3 |
-- |
±20 |
1.0-2.0 |
DFN3*3 |
|
|
Feszültségszint ：40V
|
| LNC04R050 |
110 |
3.8 |
5 |
4.7 |
6.2 |
66.7 |
-- |
20 |
1.5 |
TO-220 |
| LNN04R050 |
80 |
3.8 |
5 |
4.7 |
6.2 |
66.7 |
-- |
20 |
1.5 |
DFN5*6 |
| LNN04R065WE |
55 |
4.8 |
6.5 |
6.8 |
9.5 |
54 |
-- |
±20 |
1.1-2.2 |
DFN5*6 |
| LNC04R075 |
60 |
5.6 |
7.5 |
-- |
-- |
51.2 |
-- |
±20 |
1.5 |
TO-220 |
| LNND04R120 |
20 |
7.5 |
12 |
9.5 |
16 |
25 |
-- |
±20 |
1.5 |
DFN5*6 |
|
|
Feszültségszint ：60V
|
| LNE06R079 |
90 |
6 |
.5 7 |
.9 7.6 |
9.5 |
69 |
-- |
20 |
1.3 |
TO-263 |
|
|
Feszültségszint ：70V
|
| LNG07R085H |
70 |
7.2 |
8.5 |
-- |
-- |
65.4 |
-- |
±20 |
3 |
TO-252 |
| LNE07R085H |
85 |
7.2 |
8.5 |
-- |
-- |
65.4 |
-- |
20 |
3 |
TO-263 |
GYIK
Q : Elektromos berendezéseket gyártó vagyok, hogyan válasszam ki a termékeiket?
A: A megfelelő termék kiválasztása minden felhasználó számára döntő fontosságú. Önnek pontosan meg kell adnia alkalmazási területét és az Ön által szükséges IGBT kulcsparamétereit. Az Ön igényei alapján ajánlom a megfelelő termékeket, és elküldöm Önnek a termék adatlapját a paraméterek megerősítéséhez.
Kérdés: Márkabirtokos vagyok, készíthetnek nekem OEM termékeket?
A: Igen. Kiválaszthatja a szükséges modellt OEM gyártásra teljes termékválasztékunkból. A katalógusunkon kívüli termékek esetében mérnökeink az Ön technikai követelményei alapján végzik a tervezést.
Ezután írja alá a gyártási szerződést.
Bízhatja ránk terméke logójának nyomtatását, vagy saját maga is elvégezheti a nyomtatást. Természetesen, ha szeretné, hogy cégünk nyomtassa terméke logóját, akkor hatalmazási levelet kell kiadnia számunkra.
K: Hogyan biztosítja termékei minőségét?
A: Gyártóüzemünk teljes körű minőségirányítási rendszerrel és első osztályú minőségellenőrző laboratóriummal rendelkezik. A félkész termékek minőségellenőrzését a gyártási folyamat kulcsfontosságú pontjain végezzük el, és a szállítás előtt végleges véletlenszerű ellenőrzést is tartunk. Az ellenőrzési jelentéseket és minőségi tanúsítványokat szintén kiállítjuk.
K: Hogyan garantálja, hogy a szállított termékek eredetiek és hitelesek?
A: (1) Gyárunk hitelességi garanciát vállal a termékek eredetiségére vonatkozóan.
(2) Minden exportált áruhullámhoz kínai vámhatóság által kiállított eredetiségigazolás tartozik. -nál.
Az IGBT-termékek alkalmazására összpontosítunk. Az IGBT-alkalmazások alapján kibővítettük termékpalettánkat a nagyfokú teljesítményű áramköri egységek egyedi gyártására, egyidejűleg üzleti tevékenységünket kiterjesztettük az automatizálási vezérlési termékek területére, ideértve az ADC/DAC átalakítókat, az LDO feszültségcsökkentőket, a műszercsatlakozó erősítőket, az elektromágneses reléket, a PhotoMOS kapcsolókat és a MOSFET tranzisztorokat.
Ezáltal szakmai szakterületeinken együttműködhetünk Kína vezető gyártóival, hogy megbízható és költséghatékony termékeket nyújtsunk ügyfeleinknek.
Az innováció és a kiemelkedő minőség elveire építve állunk a félvezető alternatív megoldások és technológia élvonalában.
Célunk, hogy alternatív megoldásokat kínáljunk ügyfeleinknek, javítsuk alkalmazási megoldásaik költséghatékonyságát, és biztosítsuk ellátási láncuk biztonságát Kínában gyártott termékek révén.
Felhasználóink
EN
